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IRFB4229PBF
Infineon(英飞凌)
TO-220AB
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：250 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：46A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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渠道
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IRFB4229PBF
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Infineon(英飞凌)
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TO-220AB
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500+:￥5.05 100+:￥5.5 50+:￥6.49 10+:￥8.4 1+:￥10.0 |
706 |
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立即发货
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立创商城
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IRFB4229PBF
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Infineon(英飞凌)
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TO220
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500+:￥5.35 100+:￥5.78 20+:￥6.73 1+:￥8.92 |
2680 |
22+/23+
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在芯间
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IRFB4229PBF
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英飞凌(INFINEON)
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TO-220
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500+:￥7.458 100+:￥8.0513 50+:￥8.475 20+:￥11.865 10+:￥16.95 1+:￥27.5861 |
9452 |
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油柑网
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IRFB4229PBF
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Infineon(英飞凌)
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TO-220AB
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1000+:￥4.6 1+:￥4.8 |
24 |
22+
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立即发货
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圣禾堂
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IRFB4229PBF
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Infineon(英飞凌)
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TO-220AB
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1+:￥10.32 |
90 |
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立即发货
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华秋商城
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IRFB4229PBF
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Infineon Technologies/IR
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TO-220AB
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50+:￥4.1965 30+:￥4.235 20+:￥4.312 10+:￥4.8125 |
11000 |
22+
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3-5工作日
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云汉芯城
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IRFB4229PBF
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Infineon Technologies/IR
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TO-220AB
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10000+:￥4.4748 5000+:￥4.554 1000+:￥4.6728 10+:￥4.95 |
9452 |
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3-5工作日
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云汉芯城
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IRFB4229PBF
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Infineon(英飞凌)
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TO-220-3
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1000+:￥4.784 100+:￥4.992 1+:￥6.24 |
24 |
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1-3工作日
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硬之城
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IRFB4229PBF
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INFINEON TECHNOLOGIES
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TO-220AB
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1000+:￥5.0 300+:￥5.15 100+:￥5.355 30+:￥5.95 10+:￥7.15 1+:￥8.0 |
9888 |
22+
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1-3工作日
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云汉芯城
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IRFB4229PBF
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Infineon Technologies/IR
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TO-220AB
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1000+:￥6.696 |
63000 |
23+
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7-12工作日
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云汉芯城
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IRFB4229PBF
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Infineon Technologies/IR
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TO-220AB
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5000+:￥6.9563 3000+:￥7.0783 2000+:￥7.2004 1000+:￥7.3224 |
18645 |
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3-5工作日
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云汉芯城
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IRFB4229PBF
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Infineon Technologies/IR
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TO-220AB
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1000+:￥7.2222 300+:￥7.4389 100+:￥7.735 30+:￥8.5944 10+:￥10.3278 1+:￥11.5556 |
1502 |
22+
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1工作日
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云汉芯城
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IRFB4229PBF
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Cypress Semiconductor/Spansion
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80000+:￥7.5936 1000+:￥7.5936 500+:￥7.7292 10+:￥8.0004 |
20000 |
22+
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3-5工作日
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云汉芯城
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IRFB4229PBF
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Infineon Technologies/IR
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TO-220AB
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500+:￥13.1675 100+:￥14.4668 5+:￥15.948 |
765 |
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14-18工作日
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云汉芯城
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IRFB4229PBF
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Infineon Technologies/IR
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TO-220AB
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500+:￥15.978 100+:￥18.3869 20+:￥22.0365 10+:￥22.4694 2+:￥25.0089 |
500 |
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10-15工作日
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云汉芯城
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IRFB4229PBF
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INFINEON
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TO-220
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1+:￥12.991 |
6 |
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现货最快4H发
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京北通宇
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 250 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 46A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 46 毫欧 @ 26A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 110 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 4560 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 330W（Tc） |
| 工作温度 | -40°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |