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IRFB4110PBF
Infineon(英飞凌)
TO-220
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：120A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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交期
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渠道
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IRFB4110PBF
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Infineon(英飞凌)
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TO-220AB
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1000+:￥2.15 1+:￥2.25 |
40476 |
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圣禾堂
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Infineon(英飞凌)
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TO-220-3
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1000+:￥2.236 1+:￥2.34 |
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TO-220-3
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600+:￥2.25 100+:￥2.36 20+:￥2.74 1+:￥4.26 |
9299 |
23+/24+
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在芯间
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Infineon(英飞凌)
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TO-220
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100+:￥2.37 50+:￥2.75 10+:￥3.61 1+:￥4.27 |
518 |
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Infineon(英飞凌)
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TO-220-3
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50+:￥2.4486 |
5100 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 120A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 4.5 毫欧 @ 75A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 210 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 9620 pF @ 50 V |
| 功率耗散（最大值） | 370W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |