咨询/建议
IRFB4110PBF
Infineon(英飞凌)
TO-220
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：120A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
|
厂家型号
|
厂牌
|
封装
|
价格(含税)
|
库存
|
批次
|
交期
|
渠道
|
|---|
|
IRFB4110PBF
|
Infineon(英飞凌)
|
TO-220AB
|
1000+:￥2.15 1+:￥2.25 |
40476 |
25+
|
立即发货
|
圣禾堂
|
|
IRFB4110PBF
|
Infineon(英飞凌)
|
TO-220-3
|
1000+:￥2.236 1+:￥2.34 |
40453 |
25+
|
1-2工作日发货
|
硬之城
|
|
IRFB4110PBF
|
Infineon(英飞凌)
|
TO-220-3
|
600+:￥2.25 100+:￥2.36 20+:￥2.74 1+:￥4.26 |
9299 |
23+/24+
|
在芯间
|
|
|
IRFB4110PBF
|
Infineon(英飞凌)
|
TO-220
|
100+:￥2.37 50+:￥2.75 10+:￥3.61 1+:￥4.27 |
518 |
-
|
立即发货
|
立创商城
|
|
IRFB4110PBF
|
Infineon(英飞凌)
|
TO-220-3
|
50+:￥2.4486 |
5100 |
22+
|
1-3工作日发货
|
硬之城
|
|
IRFB4110PBF
|
Infineon(英飞凌)
|
TO-220AB
|
100+:￥2.678 30+:￥2.834 10+:￥2.886 1+:￥3.146 |
204 |
-
|
立即发货
|
华秋商城
|
|
IRFB4110PBF
|
英飞凌(INFINEON)
|
TO-220
|
500+:￥2.86 100+:￥3.0875 50+:￥3.25 20+:￥4.55 10+:￥6.5 1+:￥10.075 |
52234 |
-
|
油柑网
|
|
|
IRFB4110PBF
|
INFINEON
|
TO-220-3
|
1+:￥3.136 |
25 |
2123
|
现货最快4H发
|
京北通宇
|
|
IRFB4110PBF
|
INFINEON TECHNOLOGIES
|
TO-220AB
|
500+:￥2.2 300+:￥2.28 100+:￥2.4 30+:￥2.78 10+:￥3.6 1+:￥4.3 |
5326 |
22+
|
1-3工作日
|
云汉芯城
|
|
IRFB4110PBF
|
Infineon(英飞凌)
|
TO-220-3
|
1000+:￥2.288 100+:￥2.4024 1+:￥2.9952 |
40509 |
--
|
1-3工作日
|
硬之城
|
|
IRFB4110PBF
|
Infineon Technologies/IR
|
TO-220AB
|
1000+:￥2.3986 200+:￥2.4905 20+:￥2.6597 |
60000 |
25+
|
4-7工作日
|
云汉芯城
|
|
IRFB4110PBF
|
Infineon Technologies
|
TO-220AB
|
1000+:￥2.4063 500+:￥2.4874 100+:￥2.6069 50+:￥3.0356 10+:￥4.0233 1+:￥4.6888 |
85 |
2229+
|
1工作日
|
云汉芯城
|
|
IRFB4110PBF
|
Infineon Technologies/IR
|
TO-220AB
|
1000+:￥2.43 |
73000 |
23+
|
3-5工作日
|
云汉芯城
|
|
IRFB4110PBF
|
Infineon(英飞凌)
|
TO-220AB
|
30000+:￥2.4416 15000+:￥2.4528 1000+:￥2.464 100+:￥2.5872 1+:￥3.2256 |
40515 |
25+
|
2-4工作日
|
云汉芯城
|
|
IRFB4110PBF
|
Infineon Technologies/IR
|
TO-220AB
|
50000+:￥2.4679 10000+:￥2.49 2000+:￥2.534 1000+:￥2.6222 |
15000 |
25+
|
3-4工作日
|
云汉芯城
|
|
IRFB4110PBF
|
Infineon Technologies/IR
|
TO-220AB
|
5000+:￥2.7052 3000+:￥2.7527 2000+:￥2.8001 1000+:￥2.8476 |
80000 |
-
|
3-5工作日
|
云汉芯城
|
|
IRFB4110PBF
|
Infineon Technologies/IR
|
TO-220AB
|
10000+:￥2.7459 5000+:￥2.7945 1000+:￥2.8674 10+:￥3.0375 |
52234 |
-
|
3-5工作日
|
云汉芯城
|
价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 120A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 4.5 毫欧 @ 75A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 210 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 9620 pF @ 50 V |
| 功率耗散（最大值） | 370W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |