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IRF9Z24NPBF
Infineon(英飞凌)
TO-220AB
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：55 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：12A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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价格(含税)
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IRF9Z24NPBF
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Infineon(英飞凌)
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TO-220AB
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1000+:￥0.95 1+:￥1.03 |
8070 |
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圣禾堂
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Infineon(英飞凌)
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TO-220AB
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1000+:￥0.988 1+:￥1.0712 |
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硬之城
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英飞凌(INFINEON)
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TO-220
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500+:￥1.001 100+:￥1.0806 50+:￥1.1375 20+:￥1.5925 10+:￥2.275 1+:￥3.7026 |
65467 |
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油柑网
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Infineon(英飞凌)
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TO220
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2000+:￥1.09 500+:￥1.21 50+:￥1.46 5+:￥2.15 |
2420 |
24+/22
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在芯间
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Infineon(英飞凌)
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TO-220AB
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500+:￥1.0966 150+:￥1.3265 50+:￥1.5108 5+:￥2.1664 |
840 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 55 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 12A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 175 毫欧 @ 7.2A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 19 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 350 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 45W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |