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IRF9Z24NPBF
Infineon(英飞凌)
TO-220AB
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：55 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：12A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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Infineon(英飞凌)
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TO-220AB
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1000+:￥0.95 1+:￥1.03 |
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圣禾堂
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Infineon(英飞凌)
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TO-220AB
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1000+:￥0.988 1+:￥1.0712 |
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25+
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1-2工作日发货
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硬之城
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英飞凌(INFINEON)
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TO-220
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500+:￥1.001 100+:￥1.0806 50+:￥1.1375 20+:￥1.5925 10+:￥2.275 1+:￥3.7026 |
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油柑网
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Infineon(英飞凌)
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TO220
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2000+:￥1.09 500+:￥1.21 50+:￥1.46 5+:￥2.15 |
2420 |
24+/22
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在芯间
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Infineon(英飞凌)
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TO-220AB
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500+:￥1.0966 150+:￥1.3265 50+:￥1.5108 5+:￥2.1664 |
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立创商城
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INFINEON
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TO-220
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1+:￥2.3912 |
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现货最快4H发
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京北通宇
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Infineon Technologies/IR
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TO-220AB
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1000+:￥0.972 |
58000 |
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云汉芯城
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Infineon Technologies/IR
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10000+:￥1.0057 5000+:￥1.0235 1000+:￥1.0502 10+:￥1.1125 |
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3-5工作日
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云汉芯城
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Infineon(英飞凌)
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TO-220-3
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1000+:￥1.0088 50+:￥1.092 1+:￥1.4248 |
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1-3工作日
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硬之城
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Infineon Technologies
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TO-220AB
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1000+:￥1.2 500+:￥1.2855 100+:￥1.3431 50+:￥1.4752 10+:￥1.6069 1+:￥1.6981 |
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2517+
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1工作日
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INFINEON TECHNOLOGIES
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1000+:￥1.3 300+:￥1.404 100+:￥1.43 30+:￥1.729 10+:￥1.898 1+:￥2.21 |
15000 |
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Infineon Technologies/IR
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TO-220AB
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2000+:￥1.61 1000+:￥1.652 500+:￥1.68 10+:￥1.75 |
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Infineon(英飞凌)
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TO-220AB
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112+:￥3.2177 110+:￥3.2457 109+:￥3.3016 108+:￥3.4975 |
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6-8工作日
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Infineon Technologies/IR
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TO-220AB
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500+:￥3.9686 200+:￥4.0709 100+:￥4.1731 50+:￥4.2484 |
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Infineon Technologies/IR
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TO-220AB
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500+:￥5.9225 100+:￥6.077 9+:￥6.18 |
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14-18工作日
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云汉芯城
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Infineon(英飞凌)
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TO-220AB
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500+:￥2.64 100+:￥2.6928 10+:￥2.7984 1+:￥2.8424 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 55 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 12A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 175 毫欧 @ 7.2A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 19 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 350 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 45W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |