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IRF9530NSTRLPBF
Infineon(英飞凌)
D2PAK
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：14A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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Infineon(英飞凌)
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D2PAK
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800+:￥1.6 1+:￥1.73 |
2891 |
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圣禾堂
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800+:￥1.664 1+:￥1.7992 |
2289 |
25+
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硬之城
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Infineon(英飞凌)
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D2PAK
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800+:￥1.8 500+:￥1.91 100+:￥2.41 30+:￥2.75 10+:￥3.1 1+:￥3.8 |
1748 |
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立创商城
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Infineon(英飞凌)
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500+:￥2.28 100+:￥3.05 20+:￥3.49 1+:￥4.58 |
2586 |
22+/23+
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在芯间
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英飞凌(INFINEON)
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TO-263
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8000+:￥2.31 1600+:￥2.4938 800+:￥2.625 400+:￥3.675 100+:￥5.25 10+:￥8.5444 |
19150 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 14A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 200 毫欧 @ 8.4A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 58 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 760 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 3.8W（Ta），79W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |