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IRF9530NSTRLPBF
Infineon(英飞凌)
D2PAK
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：14A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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IRF9530NSTRLPBF
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Infineon(英飞凌)
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D2PAK
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800+:￥1.6 1+:￥1.73 |
2891 |
25+
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圣禾堂
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IRF9530NSTRLPBF
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Infineon(英飞凌)
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D2PAK
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800+:￥1.664 1+:￥1.7992 |
2289 |
25+
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1-2工作日发货
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硬之城
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IRF9530NSTRLPBF
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Infineon(英飞凌)
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D2PAK
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800+:￥1.8 500+:￥1.91 100+:￥2.41 30+:￥2.75 10+:￥3.1 1+:￥3.8 |
1748 |
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立即发货
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立创商城
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IRF9530NSTRLPBF
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Infineon(英飞凌)
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TO-263
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500+:￥2.28 100+:￥3.05 20+:￥3.49 1+:￥4.58 |
2586 |
22+/23+
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在芯间
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IRF9530NSTRLPBF
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英飞凌(INFINEON)
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TO-263
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8000+:￥2.31 1600+:￥2.4938 800+:￥2.625 400+:￥3.675 100+:￥5.25 10+:￥8.5444 |
19150 |
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油柑网
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Infineon(英飞凌)
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D²PAK
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100+:￥3.0261 30+:￥3.2024 10+:￥3.2612 1+:￥3.555 |
46 |
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立即发货
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华秋商城
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IRF9530NSTRLPBF
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Infineon(英飞凌)
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TO-263AB-3
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800+:￥1.664 50+:￥1.7992 1+:￥2.34 |
9267 |
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1-3工作日
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硬之城
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IRF9530NSTRLPBF
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Infineon(英飞凌)
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D2PAK
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24000+:￥1.7696 16000+:￥1.7808 800+:￥1.792 50+:￥1.9376 1+:￥2.52 |
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25+
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2-4工作日
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云汉芯城
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INFINEON TECHNOLOGIES
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D2PAK
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800+:￥1.7711 300+:￥1.9128 100+:￥1.9482 30+:￥2.3556 10+:￥2.5858 1+:￥3.0109 |
1600 |
25+
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1-3工作日
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云汉芯城
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Infineon Technologies/IR
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D2PAK
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10000+:￥1.8532 5000+:￥1.886 1000+:￥1.9352 10+:￥2.05 |
19150 |
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3-5工作日
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云汉芯城
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IRF9530NSTRLPBF
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INFINEON TECHNOLOGIES
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D2PAK
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800+:￥1.9 300+:￥2.052 100+:￥2.09 30+:￥2.527 10+:￥2.774 1+:￥3.23 |
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22+
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1工作日
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云汉芯城
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Infineon Technologies/IR
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D2PAK
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40000+:￥2.0944 8000+:￥2.1131 1600+:￥2.1505 800+:￥2.2253 |
14400 |
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3-4工作日
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云汉芯城
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IRF9530NSTRLPBF
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Infineon Technologies/IR
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D2PAK
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4000+:￥2.4476 2400+:￥2.4905 1600+:￥2.5335 800+:￥2.5764 |
80000 |
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3-5工作日
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云汉芯城
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IRF9530NSTRLPBF
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Infineon Technologies/IR
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D2PAK
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800+:￥3.132 |
64000 |
22+
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7-12工作日
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云汉芯城
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IRF9530NSTRLPBF
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Infineon Technologies/IR
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D2PAK
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500+:￥8.4755 100+:￥9.322 7+:￥10.26 |
1396 |
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14-18工作日
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云汉芯城
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IRF9530NSTRLPBF
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INFINEON
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D2PAK
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1+:￥6.272 |
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现货最快4H发
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京北通宇
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 14A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 200 毫欧 @ 8.4A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 58 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 760 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 3.8W（Ta），79W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |