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IRF9530NPBF
Infineon(英飞凌)
TO-220AB
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：14A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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价格(含税)
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Infineon(英飞凌)
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1000+:￥0.93 1+:￥1.01 |
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圣禾堂
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Infineon(英飞凌)
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1000+:￥0.9672 1+:￥1.0504 |
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硬之城
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Infineon(英飞凌)
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5000+:￥1.03 2000+:￥1.0995 500+:￥1.2152 150+:￥1.4751 50+:￥1.6834 5+:￥2.1694 |
12000 |
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英飞凌(INFINEON)
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TO-220
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500+:￥1.199 100+:￥1.2944 50+:￥1.3625 20+:￥1.9075 10+:￥2.725 1+:￥4.4349 |
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油柑网
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Infineon(英飞凌)
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TO220
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500+:￥1.34 100+:￥1.55 20+:￥2.14 1+:￥2.35 |
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22+/23+
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在芯间
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250+:￥1.4456 50+:￥1.6497 10+:￥2.1048 1+:￥2.126 |
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INFINEON
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TO-220-3
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1+:￥2.2736 |
700 |
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现货最快4H发
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京北通宇
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Infineon(英飞凌)
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1000+:￥1.026 |
70000 |
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INFINEON TECHNOLOGIES
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1000+:￥1.0672 300+:￥1.1633 100+:￥1.27 30+:￥1.3981 10+:￥1.6969 1+:￥2.0491 |
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25+
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TO-220AB
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10000+:￥1.1752 5000+:￥1.196 1000+:￥1.2272 10+:￥1.3 |
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5000+:￥1.1851 3000+:￥1.2059 2000+:￥1.2267 1000+:￥1.2475 |
28000 |
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INFINEON TECHNOLOGIES
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1000+:￥1.2344 300+:￥1.3332 100+:￥1.3579 30+:￥1.6418 10+:￥1.8023 1+:￥2.0986 |
8244 |
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2000+:￥1.495 1000+:￥1.534 500+:￥1.56 10+:￥1.625 |
200000 |
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5000+:￥1.8975 1000+:￥1.947 |
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5-7工作日
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 14A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 200 毫欧 @ 8.4A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 58 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 760 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 79W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |