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IRF530NSTRLPBF
Infineon(英飞凌)
D2PAK
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：17A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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渠道
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IRF530NSTRLPBF
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Infineon(英飞凌)
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D2PAK
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800+:￥1.578 1+:￥1.71 |
11382 |
25+
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立即发货
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圣禾堂
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IRF530NSTRLPBF
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Infineon(英飞凌)
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D2PAK
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800+:￥1.58 500+:￥1.68 100+:￥2.32 30+:￥2.72 10+:￥3.04 1+:￥3.77 |
6232 |
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立即发货
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立创商城
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IRF530NSTRLPBF
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Infineon(英飞凌)
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TO-263-2
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800+:￥1.64112 1+:￥1.7784 |
10581 |
25+
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1-2工作日发货
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硬之城
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IRF530NSTRLPBF
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Infineon(英飞凌)
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TO-263AB（D²PAK）
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100+:￥1.854 30+:￥1.962 10+:￥1.998 1+:￥2.178 |
103 |
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立即发货
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华秋商城
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IRF530NSTRLPBF
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Infineon(英飞凌)
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TO-263-2
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500+:￥1.95 100+:￥2.64 20+:￥2.84 1+:￥3.15 |
2865 |
22+/23+
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在芯间
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IRF530NSTRLPBF
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英飞凌(INFINEON)
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TO-263
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8000+:￥1.991 1600+:￥2.1494 800+:￥2.2625 400+:￥3.1675 100+:￥4.525 10+:￥7.3644 |
3794 |
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油柑网
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IRF530NSTRLPBF
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INFINEON
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TO-263-3
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1+:￥3.8514 |
581 |
2129
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现货最快4H发
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京北通宇
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IRF530NSTRLPBF
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Infineon(英飞凌)
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TO-263-2
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800+:￥1.64112 50+:￥1.7784 1+:￥2.7872 |
5992 |
--
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1-3工作日
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硬之城
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IRF530NSTRLPBF
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Infineon Technologies/IR
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D2PAK
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6400+:￥1.7134 3200+:￥1.7435 1600+:￥1.7735 800+:￥1.8788 |
24000 |
23+
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3-6工作日
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云汉芯城
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IRF530NSTRLPBF
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INFINEON TECHNOLOGIES
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D2PAK
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800+:￥1.7578 300+:￥1.8984 100+:￥1.9336 30+:￥2.3378 10+:￥2.5664 1+:￥2.9882 |
6400 |
23+
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1-3工作日
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云汉芯城
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IRF530NSTRLPBF
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Infineon Technologies/IR
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D2PAK
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10000+:￥1.7967 5000+:￥1.8285 1000+:￥1.8762 10+:￥1.9875 |
3794 |
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3-5工作日
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云汉芯城
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IRF530NSTRLPBF
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INFINEON TECHNOLOGIES
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D2PAK
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100+:￥1.8333 10+:￥1.9186 1+:￥2.0122 |
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2039+
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1工作日
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云汉芯城
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IRF530NSTRLPBF
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Infineon Technologies/IR
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D2PAK
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20000+:￥1.8984 4000+:￥1.9154 800+:￥1.9493 400+:￥2.0171 |
12920 |
25+
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3-4工作日
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云汉芯城
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IRF530NSTRLPBF
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Infineon Technologies/IR
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D2PAK
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4000+:￥1.9967 2400+:￥2.0317 1600+:￥2.0668 800+:￥2.1018 |
8000 |
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3-5工作日
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云汉芯城
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IRF530NSTRLPBF
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Infineon Technologies/IR
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D2PAK
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1600+:￥2.645 800+:￥2.714 500+:￥2.76 10+:￥2.875 |
50000 |
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3-5工作日
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云汉芯城
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IRF530NSTRLPBF
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Infineon(英飞凌)
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TO-263-2
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100+:￥1.991 30+:￥1.991 10+:￥2.244 1+:￥2.688 |
0 |
20+/21+
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在芯间
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 17A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 90 毫欧 @ 9A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 37 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 920 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 3.8W（Ta），70W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |