咨询/建议
IRF5305PBF
Infineon(英飞凌)
TO-220AB
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：55 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：31A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
|
厂家型号
|
厂牌
|
封装
|
价格(含税)
|
库存
|
批次
|
交期
|
渠道
|
|---|
|
IRF5305PBF
|
Infineon(英飞凌)
|
TO-220AB
|
1000+:￥1.81 1+:￥1.95 |
8584 |
24+
|
立即发货
|
圣禾堂
|
|
IRF5305PBF
|
Infineon(英飞凌)
|
TO-220AB
|
1000+:￥1.8824 1+:￥2.028 |
8579 |
24+
|
1-2工作日发货
|
硬之城
|
|
IRF5305PBF
|
Infineon(英飞凌)
|
TO-220AB
|
1000+:￥1.93 500+:￥2.05 100+:￥2.28 50+:￥2.67 10+:￥3.52 1+:￥4.31 |
6082 |
-
|
立即发货
|
立创商城
|
|
IRF5305PBF
|
Infineon(英飞凌)
|
TO-220AB
|
250+:￥2.2932 50+:￥2.6852 10+:￥3.5378 1+:￥4.3218 |
468 |
-
|
立即发货
|
华秋商城
|
|
IRF5305PBF
|
Infineon(英飞凌)
|
TO-220(TO-220-3)
|
100+:￥2.44 30+:￥2.85 10+:￥3.76 1+:￥4.6 |
8013 |
20+/21+
|
在芯间
|
点击查看更多
价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 55 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 31A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 60 毫欧 @ 16A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 63 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1200 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 110W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |