IRF5305PBF
Infineon(英飞凌)
TO-220AB
¥1.81
32,607
场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):55 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):31A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
厂家型号
厂牌
封装
价格(含税)
库存
批次
交期
渠道
IRF5305PBF
Infineon(英飞凌)
TO-220AB

1000+:¥1.81

1+:¥1.95

8584

24+
立即发货
IRF5305PBF
Infineon(英飞凌)
TO-220AB

1000+:¥1.8824

1+:¥2.028

8579

24+
1-2工作日发货
IRF5305PBF
Infineon(英飞凌)
TO-220AB

1000+:¥1.93

500+:¥2.05

100+:¥2.28

50+:¥2.67

10+:¥3.52

1+:¥4.31

6039

-
立即发货
IRF5305PBF
Infineon(英飞凌)
TO-220AB

250+:¥2.2932

50+:¥2.6852

10+:¥3.5378

1+:¥4.3218

468

-
立即发货
IRF5305PBF
Infineon(英飞凌)
TO-220(TO-220-3)

100+:¥2.44

30+:¥2.85

10+:¥3.76

1+:¥4.6

8013

20+/21+
IRF5305PBF
INFINEON
TO-220-3

1+:¥4.8804

924

2129
现货最快4H发
IRF5305PBF
Infineon Technologies
TO-220AB

1000+:¥1.8835

500+:¥1.9983

100+:¥2.2323

50+:¥2.6173

10+:¥3.45

1+:¥4.2742

2984

2449+
1工作日
IRF5305PBF
Infineon Technologies/IR
TO-220AB

1000+:¥1.89

34000

24+
3-5工作日
IRF5305PBF
Infineon(英飞凌)
TO-220AB

1000+:¥1.9032

50+:¥2.0696

1+:¥2.6832

8589

--
1-3工作日
IRF5305PBF
Infineon Technologies/IR
TO-220AB

500+:¥2.1816

250+:¥2.2385

150+:¥2.3143

50+:¥2.3713

1138

-
3-5工作日
IRF5305PBF
Infineon Technologies/IR
TO-220AB

5000+:¥2.2544

3000+:¥2.2939

2000+:¥2.3335

1000+:¥2.373

8000

-
3-5工作日
IRF5305PBF
INFINEON TECHNOLOGIES
TO-220AB

1000+:¥2.3333

500+:¥2.4419

100+:¥2.561

10+:¥2.6582

1+:¥2.8

60

2434+
1工作日
IRF5305PBF
Infineon Technologies/IR
TO-220AB

1000+:¥2.4122

300+:¥2.6052

100+:¥2.6534

30+:¥3.2083

10+:¥3.5218

1+:¥4.1008

6298

24+
1-3工作日
IRF5305PBF
Infineon Technologies/IR
TO-220AB

2000+:¥2.875

1000+:¥2.95

500+:¥3.0

10+:¥3.125

50000

-
3-5工作日
IRF5305PBF
Infineon Technologies/IR
TO-220AB

8000+:¥3.2148

4000+:¥3.2148

2000+:¥3.2712

1000+:¥3.3276

30000

-
5-7工作日
IRF5305PBF
英飞凌(INFINEON)
TO-220

500+:¥2.1131

100+:¥2.2812

50+:¥2.4013

20+:¥3.3618

10+:¥4.8026

1+:¥7.8162

0

-

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 31A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 60 毫欧 @ 16A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 63 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1200 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) 110W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3