咨询/建议
IRF510PBF
VISHAY(威世)
TO-220AB
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：5.6A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
|
厂家型号
|
厂牌
|
封装
|
价格(含税)
|
库存
|
批次
|
交期
|
渠道
|
|---|
|
IRF510PBF
|
VISHAY(威世)
|
TO220
|
1000+:￥1.73 1+:￥1.88 |
822 |
25+
|
立即发货
|
圣禾堂
|
|
IRF510PBF
|
Vishay(威世)
|
TO-220AB-3
|
1000+:￥1.7992 1+:￥1.9552 |
2821 |
25+
|
1-2工作日发货
|
硬之城
|
|
IRF510PBF
|
威世(VISHAY)
|
TO-220AB-3
|
500+:￥1.8392 100+:￥1.9855 50+:￥2.09 20+:￥2.926 10+:￥4.18 1+:￥6.803 |
8197 |
-
|
油柑网
|
|
|
IRF510PBF
|
Vishay(威世)
|
TO-220-3
|
50+:￥2.068 20+:￥2.684 |
822 |
-
|
3天-15天
|
唯样商城
|
|
IRF510PBF
|
VISHAY(威世)
|
TO-220
|
500+:￥2.17 100+:￥2.36 20+:￥2.68 1+:￥3.26 |
5000 |
19+/21+
|
在芯间
|
|
|
IRF510PBF
|
VISHAY
|
1+:￥2.3074 |
9002 |
2139
|
现货最快4H发
|
京北通宇
|
|
|
IRF510PBF
|
Vishay(威世)
|
TO-220-3
|
500+:￥8.9979 300+:￥9.0842 100+:￥9.5154 50+:￥10.1574 10+:￥15.3031 7+:￥21.9917 |
947 |
-
|
3周-4周
|
唯样商城
|
|
IRF510PBF
|
Vishay(威世)
|
TO-220AB
|
250+:￥2.178 50+:￥2.5088 10+:￥3.038 1+:￥3.7338 |
19 |
-
|
立即发货
|
华秋商城
|
|
IRF510PBF
|
VISHAY(威世)
|
TO-220AB
|
50+:￥2.44 10+:￥2.99 1+:￥3.7 |
38 |
-
|
立即发货
|
立创商城
|
|
IRF510PBF
|
Vishay Semiconductors
|
TO-220AB
|
400+:￥1.8696 200+:￥1.9024 100+:￥1.9352 50+:￥2.05 |
15000 |
25+
|
3-6工作日
|
云汉芯城
|
|
IRF510PBF
|
Vishay Semiconductors
|
TO-220AB
|
50000+:￥1.9803 25000+:￥1.9975 5000+:￥2.032 1000+:￥2.1008 |
18500 |
-
|
5-7工作日
|
云汉芯城
|
|
IRF510PBF
|
Vishay Intertechnology
|
TO-220AB
|
500+:￥2.0474 100+:￥2.1498 30+:￥2.2386 10+:￥2.3258 1+:￥2.4848 |
548 |
2511+
|
1工作日
|
云汉芯城
|
|
IRF510PBF
|
VISHAY INTERTECHNOLOGY
|
TO-220AB
|
100+:￥2.0931 50+:￥2.4492 10+:￥3.0163 1+:￥3.7657 |
4998 |
25+
|
1-3工作日
|
云汉芯城
|
|
IRF510PBF
|
Vishay Semiconductors
|
TO-220AB
|
2000+:￥2.53 1000+:￥2.596 500+:￥2.64 10+:￥2.75 |
20000 |
-
|
3-5工作日
|
云汉芯城
|
|
IRF510PBF
|
VISHAY(威世)
|
TO-220AB
|
115+:￥3.1361 113+:￥3.1633 112+:￥3.2179 111+:￥3.4088 |
8551 |
-
|
6-8工作日
|
云汉芯城
|
|
IRF510PBF
|
Vishay Semiconductors
|
TO-220AB
|
65+:￥4.3815 39+:￥4.5076 13+:￥4.956 |
5627 |
-
|
14-18工作日
|
云汉芯城
|
|
IRF510PBF
|
Vishay Semiconductors
|
TO-220AB
|
30+:￥4.6374 20+:￥4.7804 10+:￥4.8841 |
1200 |
-
|
10-15工作日
|
云汉芯城
|
价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5.6A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 540 毫欧 @ 3.4A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 8.3 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 180 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 43W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |