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IRF4905STRLPBF
Infineon(英飞凌)
D2PAK
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：55 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：42A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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IRF4905STRLPBF
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Infineon(英飞凌)
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D2PAK
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800+:￥2.95 500+:￥3.05 100+:￥3.91 30+:￥4.43 10+:￥5.06 1+:￥5.95 |
22480 |
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Infineon(英飞凌)
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D2PAK
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800+:￥3.05 1+:￥3.19 |
6960 |
25+
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圣禾堂
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Infineon(英飞凌)
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D²PAK
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1000+:￥3.0528 500+:￥3.1968 100+:￥3.4848 30+:￥3.7728 1+:￥3.9168 |
837 |
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Infineon(英飞凌)
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D2PAK
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500+:￥3.19 100+:￥4.04 20+:￥5.07 1+:￥6.03 |
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24+/23+
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在芯间
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英飞凌(INFINEON)
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TO-263
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8000+:￥3.465 1600+:￥3.7406 800+:￥3.9375 400+:￥5.5125 100+:￥7.875 10+:￥12.2063 |
10924 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 55 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 42A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 20 毫欧 @ 42A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 180 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3500 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 170W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |