IRF4905STRLPBF
Infineon(英飞凌)
D2PAK
¥2.95
45,916
场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):55 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):42A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
厂家型号
厂牌
封装
价格(含税)
库存
批次
交期
渠道
IRF4905STRLPBF
Infineon(英飞凌)
D2PAK

800+:¥2.95

500+:¥3.05

100+:¥3.91

30+:¥4.43

10+:¥5.06

1+:¥5.95

22480

-
立即发货
IRF4905STRLPBF
Infineon(英飞凌)
D2PAK

800+:¥3.05

1+:¥3.19

6960

25+
立即发货
IRF4905STRLPBF
Infineon(英飞凌)
D²PAK

1000+:¥3.0528

500+:¥3.1968

100+:¥3.4848

30+:¥3.7728

1+:¥3.9168

837

-
立即发货
IRF4905STRLPBF
Infineon(英飞凌)
D2PAK

500+:¥3.19

100+:¥4.04

20+:¥5.07

1+:¥6.03

4585

24+/23+
IRF4905STRLPBF
英飞凌(INFINEON)
TO-263

8000+:¥3.465

1600+:¥3.7406

800+:¥3.9375

400+:¥5.5125

100+:¥7.875

10+:¥12.2063

10924

-
IRF4905STRLPBF
INFINEON
TO-263-3

1+:¥4.116

130

2414
现货最快4H发
IRF4905STRLPBF
Infineon Technologies
D2PAK

1000+:¥3.0281

500+:¥3.1136

100+:¥3.9579

50+:¥4.3965

10+:¥5.0392

1+:¥5.9197

5608

2511+
1工作日
IRF4905STRLPBF
Infineon(英飞凌)
D2PAK

800+:¥3.172

100+:¥3.3176

1+:¥4.1392

8665

--
1-3工作日
IRF4905STRLPBF
Infineon Technologies/IR
D2PAK

1000+:¥3.3333

300+:¥3.6

100+:¥3.6667

30+:¥4.4333

10+:¥4.8667

1+:¥5.6667

4050

24+
1-3工作日
IRF4905STRLPBF
Infineon Technologies/IR
D2PAK

6400+:¥3.42

3200+:¥3.48

1600+:¥3.54

800+:¥3.75

16000

25+
3-6工作日
IRF4905STRLPBF
Infineon Technologies/IR
D2PAK

30+:¥3.42

20+:¥3.54

10+:¥3.66

4200

-
3-5工作日
IRF4905STRLPBF
Infineon Technologies/IR
D2PAK

10000+:¥3.5595

5000+:¥3.6225

1000+:¥3.717

10+:¥3.9375

10924

-
3-5工作日
IRF4905STRLPBF
Infineon Technologies/IR
D2PAK

4000+:¥3.8646

2400+:¥3.9324

1600+:¥4.0002

800+:¥4.068

12000

-
3-5工作日
IRF4905STRLPBF
Infineon Technologies/IR
D2PAK

1600+:¥4.83

800+:¥4.956

500+:¥5.04

10+:¥5.25

40000

-
3-5工作日
IRF4905STRLPBF
Infineon Technologies/IR
D2PAK

4000+:¥13.2457

800+:¥13.5215

14635

-
10-15工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 42A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 20 毫欧 @ 42A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 180 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 3500 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) 170W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB