IRF3710STRLPBF
Infineon(英飞凌)
D2PAK
¥3.1
29,626
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):100 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):57A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
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IRF3710STRLPBF
Infineon(英飞凌)
D2PAK

800+:¥3.1

1+:¥3.23

2277

25+
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Infineon(英飞凌)
D2PAK

800+:¥3.34

500+:¥3.47

100+:¥4.16

30+:¥4.83

10+:¥5.42

1+:¥6.5

1957

-
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INFINEON
TO-263

1+:¥3.92

165

2215
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TO-263AB(D²PAK)

320+:¥4.3364

160+:¥4.5625

10+:¥5.316

1+:¥5.7189

275

-
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英飞凌(INFINEON)
TO-263

8000+:¥4.356

1600+:¥4.7025

800+:¥4.95

400+:¥6.93

100+:¥9.9

10+:¥16.1123

18128

-
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Infineon(英飞凌)
TO-263

500+:¥4.53

100+:¥5.64

20+:¥6.12

1+:¥7.06

6824

23+/24+
IRF3710STRLPBF
Infineon Technologies/IR
D2PAK

20000+:¥3.503

12000+:¥3.565

8000+:¥3.658

4000+:¥3.72

4000

22+
5-9工作日
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Infineon Technologies/IR
D2PAK

4000+:¥4.1867

2400+:¥4.2601

1600+:¥4.3336

800+:¥4.407

9600

-
3-5工作日
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Infineon Technologies
D2PAK

1000+:¥4.2177

500+:¥4.4249

100+:¥4.6556

50+:¥5.0256

10+:¥5.4245

1+:¥5.8356

873

2403+
1工作日
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D2PAK

10000+:¥4.4748

5000+:¥4.554

1000+:¥4.6728

10+:¥4.95

18128

-
3-5工作日
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Infineon Technologies
D2PAK

500+:¥4.6087

100+:¥4.8491

50+:¥5.2345

10+:¥5.6422

1+:¥6.0776

104

2223+
1工作日
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800+:¥4.644

50400

-
5-7工作日
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D2PAK

70+:¥5.2751

68+:¥5.3209

67+:¥5.4127

66+:¥5.7338

156

-
6-8工作日
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800+:¥6.2817

4540

-
10-15工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 57A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 23 毫欧 @ 28A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 130 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 3130 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) 200W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB