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IRF100B201
Infineon(英飞凌)
TO-220AB
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：192A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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渠道
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Infineon(英飞凌)
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TO-220AB
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1000+:￥2.2 500+:￥2.34 100+:￥2.59 50+:￥3.02 10+:￥3.45 1+:￥4.32 |
741 |
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1000+:￥2.4 1+:￥2.52 |
350 |
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圣禾堂
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250+:￥2.4864 50+:￥2.8992 10+:￥3.312 1+:￥4.1472 |
216 |
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1000+:￥2.496 1+:￥2.6208 |
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TO-220(TO-220-3)
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500+:￥2.62 100+:￥2.92 20+:￥3.55 1+:￥4.91 |
500 |
23+/22+
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 192A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 4.2 毫欧 @ 115A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 255 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 9500 pF @ 50 V |
| 功率耗散（最大值） | 441W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |