IRF100B201
Infineon(英飞凌)
TO-220AB
¥2.2
8,483
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):100 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):192A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
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IRF100B201
Infineon(英飞凌)
TO-220AB

1000+:¥2.2

500+:¥2.34

100+:¥2.59

50+:¥3.02

10+:¥3.45

1+:¥4.32

741

-
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IRF100B201
Infineon(英飞凌)
TO-220AB

1000+:¥2.4

1+:¥2.52

350

23+
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IRF100B201
Infineon(英飞凌)
TO-220AB

250+:¥2.4864

50+:¥2.8992

10+:¥3.312

1+:¥4.1472

216

-
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IRF100B201
Infineon(英飞凌)
TO-220AB

1000+:¥2.496

1+:¥2.6208

6342

23+
1-2工作日发货
IRF100B201
Infineon(英飞凌)
TO-220(TO-220-3)

500+:¥2.62

100+:¥2.92

20+:¥3.55

1+:¥4.91

500

23+/22+
IRF100B201
INFINEON
TO-220-3

1+:¥8.4729

684

2302
现货最快4H发
IRF100B201
Infineon(英飞凌)
TO-220AB

1000+:¥2.496

100+:¥2.6208

1+:¥3.2656

350

--
1-3工作日
IRF100B201
Infineon Technologies/IR
TO-220AB

500+:¥2.5111

300+:¥2.712

100+:¥2.7622

30+:¥3.3398

10+:¥3.6662

1+:¥4.2689

4929

24+
1-3工作日
IRF100B201
Infineon Technologies/IR
TO-220AB

1000+:¥2.538

75000

23+
3-5工作日
IRF100B201
Infineon Technologies/IR
TO-220AB

50000+:¥2.7843

10000+:¥2.8092

2000+:¥2.8589

1000+:¥2.9583

13008

23+
3-4工作日
IRF100B201
Infineon Technologies/IR
TO-220AB

5000+:¥2.834

3000+:¥2.8838

2000+:¥2.9335

1000+:¥2.9832

42000

-
3-5工作日
IRF100B201
Infineon Technologies
TO-220AB

10+:¥3.2246

1+:¥4.1094

42

2412+
1工作日
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Infineon Technologies/IR
TO-220AB

2000+:¥3.91

1000+:¥4.012

500+:¥4.08

10+:¥4.25

30000

-
3-5工作日
IRF100B201
Infineon Technologies/IR
TO-220AB

2500+:¥5.7095

1250+:¥5.76

250+:¥5.8105

50+:¥5.9116

43000

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5-8工作日
IRF100B201
英飞凌(INFINEON)
TO-220

500+:¥3.113

100+:¥3.3606

50+:¥3.5375

20+:¥4.9525

10+:¥7.075

1+:¥11.5146

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 192A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 4.2 毫欧 @ 115A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 255 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 9500 pF @ 50 V
功率耗散(最大值) 441W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3