咨询/建议
IPB072N15N3GATMA1
Infineon(英飞凌)
TO-263-3
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：150 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：100A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：8V，10V
|
厂家型号
|
厂牌
|
封装
|
价格(含税)
|
库存
|
批次
|
交期
|
渠道
|
|---|
|
IPB072N15N3G
|
Infineon(英飞凌)
|
TO-263-3
|
500+:￥5.32 100+:￥5.78 30+:￥6.83 10+:￥7.76 1+:￥9.45 |
599 |
-
|
立即发货
|
立创商城
|
|
IPB072N15N3 G
|
英飞凌(INFINEON)
|
TO-220
|
5000+:￥6.127 1000+:￥6.6144 500+:￥6.9625 200+:￥9.7475 100+:￥13.925 10+:￥22.6629 |
1621 |
-
|
油柑网
|
|
|
IPB072N15N3G
|
英飞凌(INFINEON)
|
TO-263-3
|
10000+:￥6.215 2000+:￥6.7094 1000+:￥7.0625 500+:￥9.8875 100+:￥14.125 10+:￥22.9884 |
2178 |
-
|
油柑网
|
|
|
IPB072N15N3 G
|
Infineon(英飞凌)
|
PG-TO263-3
|
1000+:￥6.47 1+:￥6.71 |
1996 |
5年内
|
立即发货
|
圣禾堂
|
|
IPB072N15N3G
|
Infineon(英飞凌)
|
SOT404
|
200+:￥7.2943 10+:￥8.9137 1+:￥9.4398 |
100 |
-
|
立即发货
|
华秋商城
|
|
IPB072N15N3G
|
Infineon(英飞凌)
|
TO263
|
500+:￥11.6 100+:￥12.9 20+:￥14.4 1+:￥16.5 |
3856 |
18+/20+
|
在芯间
|
|
|
IPB072N15N3GATMA1
|
Infineon(英飞凌)
|
TO-263(D²Pak)
|
100+:￥12.5 30+:￥13.1762 10+:￥13.4016 1+:￥14.5286 |
19 |
-
|
立即发货
|
华秋商城
|
|
IPB072N15N3GATMA1
|
英飞凌(INFINEON)
|
TO-263
|
10000+:￥13.75 2000+:￥14.8438 1000+:￥15.625 500+:￥21.875 100+:￥31.25 10+:￥32.591 |
19 |
-
|
油柑网
|
|
|
IPB072N15N3G
|
Infineon Technologies
|
TO-263-3
|
1000+:￥6.469 500+:￥6.9301 100+:￥7.3512 50+:￥8.2219 10+:￥8.9831 1+:￥9.5133 |
5988 |
2445+
|
1工作日
|
云汉芯城
|
|
IPB072N15N3G
|
Infineon Technologies/IR
|
TO-263-3
|
5000+:￥8.9383 3000+:￥9.0965 2000+:￥9.3338 1000+:￥9.8875 |
50000 |
23+
|
3-5工作日
|
云汉芯城
|
|
IPB072N15N3G
|
Infineon(英飞凌)
|
PG-TO263-3
|
1000+:￥8.0 1+:￥8.28 |
1 |
22+
|
立即发货
|
圣禾堂
|
|
IPB072N15N3G
|
Infineon(英飞凌)
|
TO-263-3
|
1000+:￥8.96 100+:￥9.2736 1+:￥10.9424 |
1 |
22+
|
2-4工作日
|
云汉芯城
|
|
IPB072N15N3G
|
INFINEON
|
1+:￥10.7996 |
0 |
-
|
现货最快4H发
|
京北通宇
|
|
|
IPB072N15N3GATMA1
|
INFINEON
|
PG-TO263-3
|
1+:￥14.308 |
0 |
-
|
现货最快4H发
|
京北通宇
|
价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 150 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 100A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 8V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 7.2 毫欧 @ 100A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 270µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 93 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 5470 pF @ 75 V |
| 功率耗散（最大值） | 300W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |