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HYG025N06LS1D
HUAYI(华羿微)
TO-252-2L
场效应管(MOSFET)
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：160A，导通电阻(RDS(on))：3.3mΩ@10V
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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库存
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渠道
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HYG025N06LS1D
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HUAYI(华羿微)
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TO-252-2L
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1000+:￥1.81 500+:￥1.91 100+:￥2.34 30+:￥2.67 10+:￥3.0 1+:￥3.66 |
3495 |
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立即发货
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立创商城
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HYG025N06LS1D
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HUAYI(华羿微)
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TO-252-2L
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100+:￥2.31 30+:￥2.64 10+:￥2.96 1+:￥3.62 |
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20+/21+
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在芯间
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HYG025N06LS1D
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HUAYI(华羿微)
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TO-252-2L
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2500+:￥1.6 1+:￥1.67 |
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23+
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圣禾堂
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HYG025N06LS1D
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HUAYI(华羿微)
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2500+:￥1.664 1+:￥1.7368 |
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1-2工作日发货
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硬之城
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HUAYI(华羿微)
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2500+:￥1.664 1250+:￥1.7368 100+:￥2.0072 1+:￥2.6104 |
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1-3工作日
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硬之城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| 数量 | 1个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 160A |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.3mΩ@10V |