咨询/建议
HYG025N06LS1D
HUAYI(华羿微)
TO-252-2L
场效应管(MOSFET)
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：160A，导通电阻(RDS(on))：3.3mΩ@10V
|
厂家型号
|
厂牌
|
封装
|
价格(含税)
|
库存
|
批次
|
交期
|
渠道
|
|---|
|
HYG025N06LS1D
|
HUAYI(华羿微)
|
TO-252-2L
|
1000+:￥1.81 500+:￥1.91 100+:￥2.34 30+:￥2.67 10+:￥3.0 1+:￥3.66 |
3495 |
-
|
立即发货
|
立创商城
|
|
HYG025N06LS1D
|
HUAYI(华羿微)
|
TO-252-2L
|
100+:￥2.31 30+:￥2.64 10+:￥2.96 1+:￥3.62 |
4722 |
20+/21+
|
在芯间
|
|
|
HYG025N06LS1D
|
HUAYI(华羿微)
|
TO-252-2L
|
2500+:￥1.6 1+:￥1.67 |
18 |
23+
|
立即发货
|
圣禾堂
|
|
HYG025N06LS1D
|
HUAYI(华羿微)
|
--
|
2500+:￥1.664 1+:￥1.7368 |
16 |
23+
|
1-2工作日发货
|
硬之城
|
|
HYG025N06LS1D
|
HUAYI(华羿微)
|
--
|
2500+:￥1.664 1250+:￥1.7368 100+:￥2.0072 1+:￥2.6104 |
18 |
--
|
1-3工作日
|
硬之城
|
|
HYG025N06LS1D
|
HUAYI(华羿微)
|
TO-252-2
|
2500+:￥1.792 1250+:￥1.8704 100+:￥2.1616 1+:￥2.8112 |
18 |
23+
|
2-5工作日
|
云汉芯城
|
价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 数量 | 1个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 160A |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.3mΩ@10V |