FDV305N
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.26
373,142
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):20 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):900mA(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,4.5V
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FDV305N
ON(安森美)
SOT-23

3000+:¥0.26

1+:¥0.294

31072

2年内
立即发货
FDV305N
ON(安森美)
SOT-23

3000+:¥0.2704

1+:¥0.30576

31065

2年内
1-2工作日发货
FDV305N
ON(安森美)
SOT-23

3000+:¥0.29079

1000+:¥0.29619

500+:¥0.30159

100+:¥0.30672

10+:¥0.3105

269804

23+
现货
FDV305N
ON(安森美)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

3000+:¥0.338

1500+:¥0.3822

200+:¥0.4394

90+:¥0.5753

32327

-
3天-15天
FDV305N
onsemi(安森美)
SOT-23

6000+:¥0.3487

3000+:¥0.3719

500+:¥0.4184

150+:¥0.4813

50+:¥0.5596

5+:¥0.7161

3010

-
立即发货
FDV305N
ON(安森美)
SOT-23

1200+:¥0.3935

600+:¥0.3975

50+:¥0.5316

5+:¥0.6803

985

-
立即发货
FDV305N
onsemi(安森美)
SOT23

500+:¥2.11

100+:¥2.22

20+:¥2.42

1+:¥2.87

4866

19+/20+
FDV305N
ON SEMICONDUCTOR
SOT-23 (TO-236)

1+:¥5.488

13

-
现货最快4H发
FDV305N
On Semiconductor/Fairchild
SOT-23-3

30000+:¥0.268

15000+:¥0.2749

9000+:¥0.2843

3000+:¥0.2913

24000

-
3-5工作日
FDV305N
ON Semiconductor
SOT-23-3

3000+:¥0.28

500+:¥0.3039

150+:¥0.3443

50+:¥0.3942

5+:¥0.4895

29922

2436+
1工作日
FDV305N
ON(安森美)
SOT-23

3000+:¥0.2808

1500+:¥0.3172

200+:¥0.36504

1+:¥0.56576

2624

--
1-3工作日
FDV305N
ON SEMICONDUCTOR
SOT-23-3

3000+:¥0.2935

300+:¥0.3199

100+:¥0.3492

30+:¥0.3845

10+:¥0.4666

1+:¥0.5635

6000

24+
1-3工作日
FDV305N
ON(安森美)
SOT-23-3

3000+:¥0.297

1500+:¥0.3355

200+:¥0.3861

1+:¥0.5984

2667

24+
2-4工作日
FDV305N
On Semiconductor/Fairchild
SOT-23-3

24000+:¥0.3166

12000+:¥0.322

6000+:¥0.3329

3000+:¥0.3411

30000

25+
3-6工作日
FDV305N
On Semiconductor/Fairchild
SOT-23-3

24000+:¥0.3186

6000+:¥0.324

3000+:¥0.3294

1+:¥0.3375

269804

23+
3-5工作日
FDV305N
On Semiconductor/Fairchild
SOT-23-3

1000+:¥0.6075

100+:¥0.6339

10+:¥0.7597

106835

-
5-10工作日
FDV305N
安森美(onsemi)
SOT-23

30000+:¥0.3364

6000+:¥0.3632

3000+:¥0.3823

800+:¥0.5352

200+:¥0.7646

10+:¥1.2444

0

-

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 900mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 220 毫欧 @ 900mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 1.5 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 109 pF @ 10 V
功率耗散(最大值) 350mW(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3