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FDV303N
onsemi(安森美)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：25 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：680mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.7V，4.5V
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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ON(安森美)
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SOT-23
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3000+:￥0.145 1+:￥0.164 |
45805 |
24+
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圣禾堂
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ON(安森美)
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SOT-23
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3000+:￥0.14539 1000+:￥0.14809 500+:￥0.15079 100+:￥0.15336 10+:￥0.15525 |
251103 |
25+
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现货
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硬之城
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onsemi(安森美)
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SOT-23
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9000+:￥0.1481 6000+:￥0.1582 3000+:￥0.1783 300+:￥0.2034 100+:￥0.237 10+:￥0.304 |
58710 |
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立创商城
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ON(安森美)
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SOT-23
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3000+:￥0.1508 1+:￥0.17056 |
33922 |
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3000+:￥0.15612 |
6098 |
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硬之城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 25 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 680mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.7V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 450 毫欧 @ 500mA，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 2.3 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 50 pF @ 10 V |
| 功率耗散（最大值） | 350mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |