FDV303N
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.145
453,602
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):25 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):680mA(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.7V,4.5V
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FDV303N
ON(安森美)
SOT-23

3000+:¥0.145

1+:¥0.164

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FDV303N
ON(安森美)
SOT-23

3000+:¥0.14539

1000+:¥0.14809

500+:¥0.15079

100+:¥0.15336

10+:¥0.15525

251103

25+
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FDV303N
onsemi(安森美)
SOT-23

9000+:¥0.1481

6000+:¥0.1582

3000+:¥0.1783

300+:¥0.2034

100+:¥0.237

10+:¥0.304

57800

-
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ON(安森美)
SOT-23

3000+:¥0.1508

1+:¥0.17056

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ON(安森美)
SOT-23

3000+:¥0.15612

6098

24+22+
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FDV303N
ON SEMICONDUCTOR
SOT-23-3

1+:¥0.1627

1115

2431
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FDV303N
安森美(onsemi)
SOT-23

30000+:¥0.165

6000+:¥0.1781

3000+:¥0.1875

800+:¥0.2625

100+:¥0.375

20+:¥0.6104

2275

-
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ON(安森美)
SOT-23

3000+:¥0.17124

1000+:¥0.17442

500+:¥0.1776

100+:¥0.18062

10+:¥0.18285

27605

24+
现货
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ON(安森美)
SOT-23

3000+:¥0.2175

1500+:¥0.246

200+:¥0.2835

140+:¥0.3796

33925

-
3天-15天
FDV303N
ON(安森美)
SOT-23

2000+:¥0.2486

1000+:¥0.2599

500+:¥0.2757

100+:¥0.3096

20+:¥0.3435

5+:¥0.3774

307

-
立即发货
FDV303N
onsemi(安森美)
SOT23

500+:¥0.38

100+:¥0.42

20+:¥0.46

5+:¥0.97

5623

21+
FDV303N
ON Semiconductor
SOT-23-3

9000+:¥0.148

6000+:¥0.158

3000+:¥0.17

500+:¥0.2

100+:¥0.235

10+:¥0.288

183826

2447+
1工作日
FDV303N
ON(安森美)
SOT-23

3000+:¥0.15288

1500+:¥0.17264

200+:¥0.19864

1+:¥0.30784

46030

--
1-3工作日
FDV303N
On Semiconductor/Fairchild
SOT-23-3

30000+:¥0.1668

15000+:¥0.1711

9000+:¥0.1769

3000+:¥0.1813

54000

-
3-5工作日
FDV303N
onsemi
SOT-23-3

9000+:¥0.1723

6000+:¥0.1798

3000+:¥0.1873

81000

-
3-5工作日
FDV303N
On Semiconductor/Fairchild
SOT-23-3

30000+:¥0.1725

3000+:¥0.1864

1000+:¥0.264

100+:¥0.375

49297

25+
3-5工作日
FDV303N
On Semiconductor/Fairchild
SOT-23-3

24000+:¥0.1735

6000+:¥0.1764

3000+:¥0.1793

1+:¥0.1838

189361

25+
3-5工作日
FDV303N
On Semiconductor/Fairchild
SOT-23-3

24000+:¥0.2052

12000+:¥0.2088

6000+:¥0.2124

3000+:¥0.216

276000

-
3-7工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 25 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 680mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.7V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 450 毫欧 @ 500mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 2.3 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 50 pF @ 10 V
功率耗散(最大值) 350mW(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3