FDS4435BZ
华轩阳
SOP-8
¥0.398
15,511
场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss):30V,导通电阻(RDS(on)):20mΩ@10V,耗散功率(Pd):2.5W
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FDS4435BZ
HXY MOSFET(华轩阳电子)
SOP-8

3000+:¥0.398

1+:¥0.426

2966

24+
立即发货
FDS4435BZ
Huaxuanyang(华轩阳)
SOP-8

3000+:¥0.41392

1+:¥0.44304

2964

24+
1-2工作日发货
FDS4435BZ
HXY MOSFET(华轩阳电子)
SOP-8

6000+:¥0.46

3000+:¥0.4847

500+:¥0.6055

150+:¥0.6671

50+:¥0.7492

5+:¥0.9133

6610

-
立即发货
FDS4435BZ
HXY(华轩阳)
SOP-8

1500+:¥0.5262

200+:¥0.5793

80+:¥0.7096

2966

-
3天-15天
FDS4435BZ
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
SOP-8

4500+:¥0.4208

1500+:¥0.4334

500+:¥0.4502

150+:¥0.6219

50+:¥0.6943

5+:¥0.7363

837

23+
1工作日
FDS4435BZ
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
SOP-8

2000+:¥0.4329

1000+:¥0.45

500+:¥0.485

100+:¥0.525

50+:¥0.6

5+:¥0.7

1325

2426+
1工作日
FDS4435BZ
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
SOP-8

9000+:¥0.437

6000+:¥0.4484

3000+:¥0.456

720000

24+
5-7工作日
FDS4435BZ
HXY MOSFET(华轩阳电子)
SOP-8

60000+:¥0.4379

45000+:¥0.4413

3000+:¥0.4458

1500+:¥0.4771

200+:¥0.5253

1+:¥0.7605

3010

24+
2-5工作日
FDS4435BZ
HXY MOSFET(华轩阳电子)
SOP-8

1+:¥0.7154

5

-
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价格趋势
规格参数
属性 属性值
漏源电压(Vdss) 30V
导通电阻(RDS(on)) 20mΩ@10V
耗散功率(Pd) 2.5W