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FDN5618P
onsemi(安森美)
SOT-23-3
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.25A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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封装
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价格(含税)
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ON(安森美)
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SSOT-3
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3000+:￥0.402 1+:￥0.429 |
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25+
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圣禾堂
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ON(安森美)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.41808 1+:￥0.44616 |
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25+
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硬之城
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SOT-23-3
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3000+:￥0.42003 1000+:￥0.42783 500+:￥0.43563 100+:￥0.44304 10+:￥0.4485 |
99018 |
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现货
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硬之城
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onsemi(安森美)
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SOT-23-3
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6000+:￥0.4399 3000+:￥0.4634 500+:￥0.5103 150+:￥0.6694 50+:￥0.7614 5+:￥0.9454 |
8180 |
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ON(安森美)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.4861 1500+:￥0.5187 200+:￥0.5719 80+:￥0.7018 |
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3天-15天
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.25A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 170 毫欧 @ 1.25A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 13.8 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 430 pF @ 30 V |
| 功率耗散（最大值） | 500mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |