FDN5618P
onsemi(安森美)
SOT-23-3
¥0.402
216,523
场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):60 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.25A(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
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FDN5618P
ON(安森美)
SSOT-3

3000+:¥0.402

1+:¥0.429

23481

25+
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FDN5618P
ON(安森美)
SOT-23-3

3000+:¥0.41808

1+:¥0.44616

23476

25+
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FDN5618P
ON(安森美)
SOT-23-3

3000+:¥0.42003

1000+:¥0.42783

500+:¥0.43563

100+:¥0.44304

10+:¥0.4485

99018

25+
现货
FDN5618P
onsemi(安森美)
SOT-23-3

6000+:¥0.4399

3000+:¥0.4634

500+:¥0.5103

150+:¥0.6694

50+:¥0.7614

5+:¥0.9454

8180

-
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FDN5618P
ON(安森美)
SOT-23-3

3000+:¥0.4861

1500+:¥0.5187

200+:¥0.5719

80+:¥0.7018

23631

-
3天-15天
FDN5618P
onsemi(安森美)
SOT-23

3000+:¥0.52

500+:¥0.57

150+:¥0.66

5+:¥1.03

1364

23+/25+
FDN5618P
ON(安森美)
SOT-23

500+:¥0.59

150+:¥0.62

50+:¥0.72

5+:¥0.75

35587

-
立即发货
FDN5618P
ON SEMICONDUCTOR
SOT-23-3

1+:¥0.98

1786

2334
现货最快4H发
FDN5618P
ON Semiconductor
SUPERSOT-3

6000+:¥0.405

3000+:¥0.4284

500+:¥0.4637

150+:¥0.5278

50+:¥0.6517

5+:¥0.829

102539

2506+
1工作日
FDN5618P
ON(安森美)
SUPERSOT-3

60000+:¥0.44

45000+:¥0.4455

3000+:¥0.4477

1500+:¥0.4796

200+:¥0.5269

1+:¥0.7645

25351

25+
2-4工作日
FDN5618P
On Semiconductor/Fairchild
SUPERSOT-3

24000+:¥0.4541

12000+:¥0.462

6000+:¥0.4776

3000+:¥0.4894

20000

25+
3-6工作日
FDN5618P
On Semiconductor/Fairchild
SUPERSOT-3

30000+:¥0.4681

15000+:¥0.4803

9000+:¥0.4965

3000+:¥0.5088

120000

-
3-5工作日
FDN5618P
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
SUPERSOT-3

2000+:¥0.7609

300+:¥0.8293

100+:¥0.9054

30+:¥0.9967

10+:¥1.2098

1+:¥1.4609

3517

21+
1-3工作日
FDN5618P
On Semiconductor/Fairchild
SUPERSOT-3

1000+:¥1.044

500+:¥1.062

100+:¥1.08

10+:¥1.098

84961

23+
3-7工作日
FDN5618P
On Semiconductor/Fairchild
SUPERSOT-3

500+:¥1.2567

100+:¥1.2857

10+:¥1.3244

132000

-
5-7工作日
FDN5618P
On Semiconductor/Fairchild
SUPERSOT-3

125+:¥2.254

75+:¥2.5842

25+:¥2.832

237216

-
14-18工作日
FDN5618P
安森美(onsemi)
SOT-23

15000+:¥0.4885

3000+:¥0.5428

1500+:¥0.7491

0

-

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 1.25A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 170 毫欧 @ 1.25A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 13.8 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 430 pF @ 30 V
功率耗散(最大值) 500mW(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3