厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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FDN5618P
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ON(安森美)
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SSOT-3
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3000+:¥0.402 1+:¥0.429 |
23481 |
25+
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立即发货
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圣禾堂
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FDN5618P
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ON(安森美)
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SOT-23-3
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3000+:¥0.41808 1+:¥0.44616 |
23476 |
25+
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1-2工作日发货
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硬之城
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FDN5618P
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ON(安森美)
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SOT-23-3
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3000+:¥0.42003 1000+:¥0.42783 500+:¥0.43563 100+:¥0.44304 10+:¥0.4485 |
99018 |
25+
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现货
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硬之城
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FDN5618P
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onsemi(安森美)
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SOT-23-3
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6000+:¥0.4399 3000+:¥0.4634 500+:¥0.5103 150+:¥0.6694 50+:¥0.7614 5+:¥0.9454 |
8180 |
-
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立即发货
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立创商城
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FDN5618P
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ON(安森美)
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SOT-23-3
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3000+:¥0.4861 1500+:¥0.5187 200+:¥0.5719 80+:¥0.7018 |
23631 |
-
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3天-15天
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唯样商城
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FDN5618P
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onsemi(安森美)
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SOT-23
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3000+:¥0.52 500+:¥0.57 150+:¥0.66 5+:¥1.03 |
1364 |
23+/25+
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在芯间
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FDN5618P
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ON(安森美)
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SOT-23
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500+:¥0.59 150+:¥0.62 50+:¥0.72 5+:¥0.75 |
35587 |
-
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立即发货
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华秋商城
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FDN5618P
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ON SEMICONDUCTOR
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SOT-23-3
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1+:¥0.98 |
1786 |
2334
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现货最快4H发
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京北通宇
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FDN5618P
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ON Semiconductor
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SUPERSOT-3
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6000+:¥0.405 3000+:¥0.4284 500+:¥0.4637 150+:¥0.5278 50+:¥0.6517 5+:¥0.829 |
102539 |
2506+
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1工作日
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云汉芯城
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FDN5618P
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ON(安森美)
|
SUPERSOT-3
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60000+:¥0.44 45000+:¥0.4455 3000+:¥0.4477 1500+:¥0.4796 200+:¥0.5269 1+:¥0.7645 |
25351 |
25+
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2-4工作日
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云汉芯城
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FDN5618P
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On Semiconductor/Fairchild
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SUPERSOT-3
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24000+:¥0.4541 12000+:¥0.462 6000+:¥0.4776 3000+:¥0.4894 |
20000 |
25+
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3-6工作日
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云汉芯城
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FDN5618P
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On Semiconductor/Fairchild
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SUPERSOT-3
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30000+:¥0.4681 15000+:¥0.4803 9000+:¥0.4965 3000+:¥0.5088 |
120000 |
-
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3-5工作日
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云汉芯城
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FDN5618P
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ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
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SUPERSOT-3
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2000+:¥0.7609 300+:¥0.8293 100+:¥0.9054 30+:¥0.9967 10+:¥1.2098 1+:¥1.4609 |
3517 |
21+
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1-3工作日
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云汉芯城
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FDN5618P
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On Semiconductor/Fairchild
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SUPERSOT-3
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1000+:¥1.044 500+:¥1.062 100+:¥1.08 10+:¥1.098 |
84961 |
23+
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3-7工作日
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云汉芯城
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FDN5618P
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On Semiconductor/Fairchild
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SUPERSOT-3
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500+:¥1.2567 100+:¥1.2857 10+:¥1.3244 |
132000 |
-
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5-7工作日
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云汉芯城
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FDN5618P
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On Semiconductor/Fairchild
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SUPERSOT-3
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125+:¥2.254 75+:¥2.5842 25+:¥2.832 |
237216 |
-
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14-18工作日
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云汉芯城
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FDN5618P
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安森美(onsemi)
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SOT-23
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15000+:¥0.4885 3000+:¥0.5428 1500+:¥0.7491 |
0 |
-
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油柑网
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属性 | 属性值 |
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FET 类型 | P 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 60 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.25A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 170 毫欧 @ 1.25A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) | 13.8 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 430 pF @ 30 V |
功率耗散(最大值) | 500mW(Ta) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |