咨询/建议
|
厂家型号
|
厂牌
|
封装
|
价格(含税)
|
库存
|
批次
|
交期
|
渠道
|
|---|
|
FDN352AP
|
ON(安森美)
|
SuperSOT-3
|
3000+:￥0.48 1+:￥0.514 |
398 |
24+
|
立即发货
|
圣禾堂
|
|
FDN352AP
|
ON(安森美)
|
SOT-23
|
3000+:￥0.4868 1000+:￥0.49584 500+:￥0.50488 100+:￥0.51347 10+:￥0.5198 |
2204 |
22+
|
现货
|
硬之城
|
|
FDN352AP
|
ON(安森美)
|
SOT-23
|
3000+:￥0.4992 1+:￥0.53456 |
391 |
24+
|
1-2工作日发货
|
硬之城
|
|
FDN352AP
|
ON(安森美)
|
SOT-23
|
3000+:￥0.5385 1000+:￥0.5485 500+:￥0.5585 100+:￥0.568 10+:￥0.575 |
67375 |
23+
|
现货
|
硬之城
|
|
FDN352AP
|
onsemi(安森美)
|
SOT-23
|
6000+:￥0.5505 3000+:￥0.581 500+:￥0.6741 150+:￥0.7882 50+:￥0.8797 5+:￥1.0931 |
1210 |
-
|
立即发货
|
立创商城
|
|
FDN352AP
|
ON(安森美)
|
SOT-23
|
200+:￥0.6215 60+:￥0.9009 |
398 |
-
|
3天-15天
|
唯样商城
|
|
FDN352AP
|
onsemi(安森美)
|
SOT23-3
|
500+:￥0.66 150+:￥0.76 50+:￥0.86 5+:￥1.08 |
1325 |
22+/24+
|
在芯间
|
|
|
FDN352AP
|
ON SEMICONDUCTOR
|
SOT-23
|
1+:￥0.9659 |
19 |
2237
|
现货最快4H发
|
京北通宇
|
|
FDN352AP
|
ON Semiconductor
|
SOT-23-3
|
500+:￥0.48 150+:￥0.5 50+:￥0.53 5+:￥0.57 |
938 |
2306+
|
1工作日
|
云汉芯城
|
|
FDN352AP
|
On Semiconductor/Fairchild
|
SOT-23-3
|
24000+:￥0.5024 12000+:￥0.5111 6000+:￥0.5284 3000+:￥0.5414 |
40000 |
25+
|
3-6工作日
|
云汉芯城
|
|
FDN352AP
|
ON Semiconductor
|
SOT-23-3
|
3000+:￥0.528 500+:￥0.572 150+:￥0.6616 50+:￥0.7302 5+:￥0.8713 |
6327 |
2401+
|
1工作日
|
云汉芯城
|
|
FDN352AP
|
ON(安森美)
|
SOT-23-3
|
3000+:￥0.528 1500+:￥0.5654 200+:￥0.6215 1+:￥0.9009 |
1544 |
24+
|
2-4工作日
|
云汉芯城
|
|
FDN352AP
|
On Semiconductor/Fairchild
|
SOT-23-3
|
3000+:￥0.549 100+:￥0.64 |
21000 |
22+
|
3-5工作日
|
云汉芯城
|
|
FDN352AP
|
On Semiconductor/Fairchild
|
SOT-23-3
|
24000+:￥0.59 6000+:￥0.6 3000+:￥0.61 1+:￥0.625 |
67375 |
23+
|
3-5工作日
|
云汉芯城
|
|
FDN352AP
|
ON
|
SOT-23-3
|
1000+:￥0.6214 500+:￥0.6373 10+:￥0.6479 |
6000 |
-
|
3-7工作日
|
云汉芯城
|
|
FDN352AP
|
On Semiconductor/Fairchild
|
SOT-23-3
|
500+:￥2.6021 250+:￥2.668 100+:￥2.7362 50+:￥2.8067 |
24030 |
-
|
10-15工作日
|
云汉芯城
|
|
FDN352AP
|
安森美(onsemi)
|
SOT-23
|
30000+:￥0.4436 6000+:￥0.4789 3000+:￥0.5041 800+:￥0.7057 200+:￥1.0082 10+:￥1.5627 |
0 |
-
|
油柑网
|
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.3A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 180 毫欧 @ 1.3A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 1.9 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±25V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 150 pF @ 15 V |
| 功率耗散（最大值） | 500mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |