FDN338P
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.737352
23,493
场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):20 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.6A(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,4.5V
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封装
价格(含税)
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FDN338P
ON SEMICONDUCTOR
SOT-23

1000+:¥0.7374

100+:¥0.7762

1+:¥0.8247

5779

2333
现货最快4H发
FDN338P
onsemi(安森美)
SOT-23

6000+:¥0.7871

3000+:¥0.8406

500+:¥0.9297

150+:¥1.1412

50+:¥1.3032

5+:¥1.6812

2415

-
立即发货
FDN338P
onsemi(安森美)
SOT-23

500+:¥0.88

150+:¥1.07

50+:¥1.22

5+:¥1.58

3000

19+/22+
FDN338P
安森美(onsemi)
SOT-23

15000+:¥1.1965

3000+:¥1.3294

1500+:¥1.8346

12050

-
FDN338P
ON(安森美)
SuperSOT-3

3000+:¥0.74

1+:¥0.798

84

25+
立即发货
FDN338P
ON(安森美)
SOT-23

3000+:¥0.7696

1+:¥0.82992

76

25+
1-2工作日发货
FDN338P
ON(安森美)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

40+:¥1.507

89

-
3天-15天
FDN338P
ON Semiconductor
SOT-23-3

6000+:¥0.745

3000+:¥0.7704

500+:¥0.8315

150+:¥0.9303

50+:¥1.112

5+:¥1.3516

2856

2523+
1工作日
FDN338P
On Semiconductor/Fairchild
SOT-23-3

30000+:¥0.8027

15000+:¥0.8236

9000+:¥0.8516

3000+:¥0.8725

20500

-
3-5工作日
FDN338P
ON(安森美)
SOT-23-3

3000+:¥0.814

1500+:¥0.8778

750+:¥0.9658

100+:¥1.155

1+:¥1.507

1323

25+
2-4工作日
FDN338P
On Semiconductor/Fairchild
SOT-23-3

24000+:¥0.855

12000+:¥0.8625

6000+:¥0.8775

3000+:¥0.9

36000

-
3-5工作日
FDN338P
On Semiconductor/Fairchild
SOT-23-3

10+:¥1.3334

428

19+
3-5工作日
FDN338P
On Semiconductor/Fairchild
SOT-23-3

500+:¥2.1735

100+:¥2.3954

25+:¥2.64

11342

-
14-18工作日
FDN338P
On Semiconductor/Fairchild
SOT-23-3

500+:¥2.6323

250+:¥2.7011

100+:¥2.7703

50+:¥2.8436

26990

-
10-15工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 1.6A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 115 毫欧 @ 1.6A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 6.2 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 451 pF @ 10 V
功率耗散(最大值) 500mW(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3