咨询/建议
FDD86102LZ
onsemi(安森美)
DPAK(TO-252)
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：8A（Ta），35A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
|
厂家型号
|
厂牌
|
封装
|
价格(含税)
|
库存
|
批次
|
交期
|
渠道
|
|---|
|
FDD86102LZ
|
ON(安森美)
|
D-PAK（TO-252）
|
2500+:￥2.1 1+:￥2.19 |
410 |
22+
|
立即发货
|
圣禾堂
|
|
FDD86102LZ
|
ON(安森美)
|
TO-252(DPAK)
|
2500+:￥2.184 1+:￥2.2776 |
393 |
22+
|
1-2工作日发货
|
硬之城
|
|
FDD86102LZ
|
安森美(onsemi)
|
TO-252(DPAK)
|
25000+:￥2.31 5000+:￥2.4938 2500+:￥2.625 800+:￥3.675 200+:￥5.25 10+:￥8.5444 |
410 |
-
|
油柑网
|
|
|
FDD86102LZ
|
onsemi(安森美)
|
DPAK(TO-252)
|
1000+:￥2.3562 500+:￥2.4849 100+:￥2.871 30+:￥3.31 10+:￥3.72 1+:￥4.54 |
2760 |
-
|
立即发货
|
立创商城
|
|
FDD86102LZ
|
ON(安森美)
|
TO-252-3
|
5000+:￥2.39175 1000+:￥2.4255 500+:￥2.45925 100+:￥2.4885 10+:￥2.52 |
30659 |
24+
|
现货
|
硬之城
|
|
FDD86102LZ
|
ON(安森美)
|
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
|
100+:￥2.662 20+:￥3.179 |
410 |
-
|
3天-15天
|
唯样商城
|
|
FDD86102LZ
|
ON SEMICONDUCTOR
|
DPAK-3 / TO-252-3
|
1+:￥5.3325 |
77 |
-
|
现货最快4H发
|
京北通宇
|
|
FDD86102LZ
|
ON(安森美)
|
TO-252-3
|
2500+:￥2.184 1250+:￥2.2776 100+:￥2.5168 1+:￥3.0056 |
410 |
--
|
1-3工作日
|
硬之城
|
|
FDD86102LZ
|
安森美(onsemi)
|
TO-252(DPAK)
|
1000+:￥4.7867 500+:￥5.5047 100+:￥5.9834 30+:￥6.7014 10+:￥8.1374 1+:￥9.5734 |
0 |
-
|
油柑网
|
价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 8A（Ta），35A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 22.5 毫欧 @ 8A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 26 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1540 pF @ 50 V |
| 功率耗散（最大值） | 3.1W（Ta），54W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |