FDC5614P
onsemi(安森美)
SuperSOT-6
¥0.76467
245,289
场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):60 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
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FDC5614P
ON(安森美)
SuperSOT-6

3000+:¥0.76467

1000+:¥0.77887

500+:¥0.79307

100+:¥0.80656

10+:¥0.8165

153213

24+
现货
FDC5614P
ON(安森美)
SuperSOT™-6

3000+:¥0.808

1+:¥0.852

9056

25+
立即发货
FDC5614P
ON(安森美)
SuperSOT-6

3000+:¥0.82756

1000+:¥0.84293

500+:¥0.8583

100+:¥0.8729

10+:¥0.88366

33620

23+
现货
FDC5614P
ON(安森美)
SuperSOT-6

3000+:¥0.84032

1+:¥0.88608

8603

25+
1-2工作日发货
FDC5614P
ON(安森美)
SuperSOT-6

3000+:¥0.84032

1+:¥0.88608

9251

2年内
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FDC5614P
onsemi(安森美)
SOT23-6

3000+:¥0.87

500+:¥1.05

50+:¥1.51

5+:¥1.86

4650

23+/24+
FDC5614P
安森美(onsemi)
SOT-23-6

30000+:¥0.8888

6000+:¥0.9595

3000+:¥1.01

800+:¥1.414

100+:¥2.02

20+:¥3.2876

8606

-
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ON(安森美)
SuperSOT-6

3000+:¥0.8888

1500+:¥0.9372

750+:¥0.9944

100+:¥1.111

40+:¥1.397

8606

-
3天-15天
FDC5614P
ON(安森美)
SOT23-6

2000+:¥0.9798

1000+:¥1.0054

500+:¥1.048

100+:¥1.1332

30+:¥1.1758

1+:¥1.2184

200

-
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FDC5614P
onsemi(安森美)
SuperSOT-6

6000+:¥1.2083

3000+:¥1.2586

500+:¥1.3424

150+:¥1.5461

50+:¥1.6985

5+:¥2.0541

3995

-
立即发货
FDC5614P
ON SEMICONDUCTOR
TSOT-23-6

1+:¥1.365

5489

2326
现货最快4H发
FDC5614P
On Semiconductor/Fairchild
SOT-23-6,SOT-6

300000+:¥0.6882

150000+:¥0.6944

75000+:¥0.7006

15000+:¥0.741

75000

-
5-7工作日
FDC5614P
ON Semiconductor
SOT-23-6,SOT-6

6000+:¥0.79

3000+:¥0.842

500+:¥0.93

150+:¥1.05

50+:¥1.24

5+:¥1.5

26533

2501+
1工作日
FDC5614P
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
SOT-23-6,SOT-6

6000+:¥0.8102

3000+:¥0.862

500+:¥0.9248

150+:¥1.0244

50+:¥1.2024

5+:¥1.4279

5832

23+
1工作日
FDC5614P
ON(安森美)
SuperSOT-6

3000+:¥0.84032

1500+:¥0.88608

750+:¥0.94016

100+:¥1.0504

1+:¥1.3208

12882

--
1-3工作日
FDC5614P
On Semiconductor/Fairchild
SOT-23-6,SOT-6

2000+:¥0.8452

500+:¥0.8606

100+:¥0.8837

50+:¥0.9067

10+:¥0.9221

33620

23+
3-4工作日
FDC5614P
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
SOT-23-6,SOT-6

9000+:¥0.858

6000+:¥0.858

3000+:¥0.858

6000

24+
3-5工作日
FDC5614P
On Semiconductor/Fairchild
SOT-23-6,SOT-6

3000+:¥0.96

1000+:¥0.985

500+:¥1.0102

100+:¥1.062

6000

-
3-6工作日
FDC5614P
ON Semiconductor
SOT-23-6,SOT-6

18000+:¥1.0944

9000+:¥1.1693

3000+:¥1.3027

100+:¥2.304

300000

23+
5-7工作日
FDC5614P
ON SEMICONDUCTOR
SOT-23-6,SOT-6

3000+:¥1.1

120000

-
4-7工作日
FDC5614P
On Semiconductor/Fairchild
SOT-23-6,SOT-6

100+:¥3.4929

25+:¥3.6772

5+:¥3.8074

28960

-
10-15工作日
FDC5614P
onsemi(安森美)
SuperSOT-6

6000+:¥0.9797

3000+:¥1.045

500+:¥1.1539

150+:¥1.3983

50+:¥1.5943

5+:¥2.0514

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 3A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 105 毫欧 @ 3A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 24 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 759 pF @ 30 V
功率耗散(最大值) 1.6W(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SOT-23-6 细型,TSOT-23-6