EM6M2T2R
ROHM(罗姆)
SOT-563(SOT-666)
¥0.2142
112,248
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 和 P 沟道,FET 功能:逻辑电平门,漏源电压(Vdss):20V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):200mA,不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):1 欧姆 @ 200mA,4V
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EM6M2T2R
ROHM(罗姆)
SOT-563(SOT-666)

5000+:¥0.2142

2500+:¥0.2286

500+:¥0.2966

150+:¥0.3326

50+:¥0.3806

5+:¥0.4767

13205

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ROHM(罗姆)
EMT6

8000+:¥0.24

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2242

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EM6M2T2R
ROHM(罗姆)
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1+:¥0.27456

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EM6M2T2R
罗姆(ROHM)
EMT-6

80000+:¥0.3107

16000+:¥0.3354

8000+:¥0.3531

1000+:¥0.4943

100+:¥0.7062

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64000

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EMT

500+:¥0.3952

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1842

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ROHM(罗姆)
EMT

5000+:¥1.5141

4000+:¥1.5237

1000+:¥1.6003

500+:¥1.6866

300+:¥1.8111

100+:¥2.4627

50+:¥3.421

7650

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ROHM(罗姆)
EMT

5000+:¥1.5141

4000+:¥1.5237

1000+:¥1.6003

500+:¥1.6866

300+:¥1.8111

100+:¥2.4627

50+:¥3.421

23650

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3周-4周
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ROHM(罗姆)
EMT

300+:¥1.8111

100+:¥2.4627

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359

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3周-4周
EM6M2T2R
ROHM
[EMT6, SOT-563]

1+:¥0.7154

65

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现货最快4H发
EM6M2T2R
ROHM(罗姆)
EMT6

8000+:¥0.2496

4000+:¥0.27456

500+:¥0.31616

1+:¥0.4732

2345

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1-3工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 和 P 沟道
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压(Vdss) 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 200mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 1 欧姆 @ 200mA,4V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 25pF @ 10V
功率 - 最大值 150mW
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SOT-563,SOT-666