DMTH8003SPS-13
DIODES(美台)
PowerDI5060-8
¥2.6
27,231
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):80 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V,10V
厂家型号
厂牌
封装
价格(含税)
库存
批次
交期
渠道
DMTH8003SPS-13
DIODES(美台)
PowerDI5060-8

1000+:¥1.4283

500+:¥1.4688

100+:¥1.5579

30+:¥1.7577

10+:¥2.6529

1+:¥3.9339

440

-
立即发货
DMTH8003SPS-13
DIODES(美台)
PowerDI5060-8

2500+:¥2.6

1+:¥2.71

782

21+
立即发货
DMTH8003SPS-13
美台(DIODES)
PowerDI5060-8

25000+:¥2.86

5000+:¥3.0875

2500+:¥3.25

800+:¥4.55

200+:¥6.5

10+:¥10.5788

782

-
DMTH8003SPS-13
Diodes(达尔)
PowerDI5060-8(K 类)

100+:¥3.278

20+:¥3.938

782

-
3天-15天
DMTH8003SPS-13
DIODES(美台)
PowerDI5060-8

500+:¥4.01

100+:¥5.26

20+:¥6.33

1+:¥7.42

24405

21+
DMTH8003SPS-13
DIODES(美台)
PowerDI5060-8

100+:¥3.531

30+:¥3.7201

10+:¥3.7832

1+:¥4.0985

15

-
立即发货
DMTH8003SPS-13
DIODES INCORPORATED

1+:¥7.0278

25

-
现货最快4H发
DMTH8003SPS-13
Diodes Incorporated
PDI-50608

50000+:¥2.9095

2500+:¥2.9348

1250+:¥2.9854

100+:¥3.0866

33333

21+
3-5工作日
DMTH8003SPS-13
DIODES
PDI-50608

1000+:¥3.75

300+:¥3.8625

100+:¥4.0163

30+:¥4.4625

10+:¥5.3625

1+:¥6.0

1446

21+
1工作日
DMTH8003SPS-13
Diodes Incorporated
PDI-50608

20000+:¥4.554

10000+:¥4.6728

5000+:¥4.752

2500+:¥5.148

50000

-
5-7工作日
DMTH8003SPS-13
Diodes Incorporated
PDI-50608

15000+:¥7.0076

7500+:¥7.3449

2500+:¥7.8262

110000

23+
5-10工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 100A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 3.9 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 124.3 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 8952 pF @ 40 V
功率耗散(最大值) 2.9W
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-PowerTDFN