DMP6185SE-13
DIODES(美台)
SOT-223
¥0.73736
49,823
场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):60 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
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价格(含税)
库存
批次
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渠道
DMP6185SE-13
Diodes(美台)
SOT-223-3

2500+:¥0.73736

1+:¥0.79664

19308

23+
1-2工作日发货
DMP6185SE-13
美台(DIODES)
SOT-223-4

25000+:¥0.7711

5000+:¥0.8325

2500+:¥0.8763

800+:¥1.2268

200+:¥1.7526

10+:¥2.8523

7500

-
DMP6185SE-13
Diodes(达尔)
SOT-223

2500+:¥0.7799

1250+:¥0.8426

100+:¥0.9944

40+:¥1.298

19215

-
3天-15天
DMP6185SE-13
DIODES(美台)
-

100+:¥1.125

30+:¥1.319

10+:¥1.475

1+:¥1.837

2000

20+/21+
DMP6185SE-13
DIODES(美台)
SOT-223

500+:¥1.1435

150+:¥1.3375

50+:¥1.493

5+:¥1.8558

1800

-
立即发货
DMP6185SE-13
DIODES(美台)
SOT223

2500+:¥0.716

1+:¥0.774

19315

23+
立即发货
DMP6185SE-13
Diodes(美台)
SOT-223-3

2500+:¥0.74464

1250+:¥0.80496

100+:¥0.94952

1+:¥1.2376

19315

--
1-3工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 3A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 150 毫欧 @ 2.2A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 14 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 708 pF @ 30 V
功率耗散(最大值) 1.2W(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA