DMP3125L-7
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.2882
53,030
场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):30 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
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DMP3125L-7
DIODES INCORPORATED

1000+:¥0.2882

100+:¥0.3038

1+:¥0.3332

5611

2526
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DMP3125L-7
DIODES(美台)
SOT23

3000+:¥0.31

1+:¥0.332

8987

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DMP3125L-7
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SOT-23

6000+:¥0.3205

3000+:¥0.3437

500+:¥0.3902

150+:¥0.4482

50+:¥0.5256

5+:¥0.6804

12145

-
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DMP3125L-7
Diodes(美台)
SOT-23

3000+:¥0.3224

1+:¥0.34528

8504

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DMP3125L-7
DIODES(美台)
SOT-23

3000+:¥0.3265

1200+:¥0.367

600+:¥0.3707

50+:¥0.4993

5+:¥0.6464

3017

-
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DMP3125L-7
美台(DIODES)
SOT-23

30000+:¥0.3421

6000+:¥0.3694

3000+:¥0.3888

800+:¥0.5443

200+:¥0.7776

10+:¥1.2656

6000

-
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Diodes(达尔)
SOT-23-3

3000+:¥0.403

1500+:¥0.4316

200+:¥0.4745

90+:¥0.5819

8766

-
3天-15天
DMP3125L-7
Diodes(美台)
SOT-23-3

3000+:¥0.3224

1500+:¥0.34528

200+:¥0.3796

1+:¥0.55016

8997

--
1-3工作日
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DIODES(美台)
SOT-23-3

3000+:¥0.3441

1500+:¥0.3685

200+:¥0.4052

1+:¥0.5872

9044

25+
2-4工作日
DMP3125L-7
DIODES(美台)
SOT-23-3

1000+:¥0.3921

100+:¥0.4201

5702

-
6-8工作日
DMP3125L-7
Diodes Incorporated
SOT-23-3

1500+:¥0.7462

800+:¥0.7691

1400

-
10-15工作日
DMP3125L-7
DIODES(美台)
SOT-23

100+:¥0.348

30+:¥0.348

10+:¥0.348

5+:¥0.358

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20+/21+

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 2.5A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 95 毫欧 @ 3.8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 3.1 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 254 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) 650mW(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3