DMP3099L-7
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.1538
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场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):30 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.8A(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
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6000+:¥0.1538

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150+:¥0.2091

50+:¥0.2426

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3000+:¥0.155

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30000+:¥0.1811

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100+:¥0.4116

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规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 3.8A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 65 毫欧 @ 3.8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 5.2 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 563 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) 1.08W(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3