DMP3099L-7
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.1538
614,204
场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):30 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.8A(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
厂家型号
厂牌
封装
价格(含税)
库存
批次
交期
渠道
DMP3099L-7
DIODES(美台)
SOT-23

6000+:¥0.1538

3000+:¥0.1638

500+:¥0.1839

150+:¥0.2091

50+:¥0.2426

5+:¥0.3097

238445

-
立即发货
DMP3099L-7
DIODES(美台)
SOT23

3000+:¥0.155

1+:¥0.175

110866

2年内
立即发货
DMP3099L-7
Diodes(美台)
SOT-23

3000+:¥0.1612

1+:¥0.182

110845

2年内
1-2工作日发货
DMP3099L-7
DIODES(美台)
SOT-23

600+:¥0.1747

100+:¥0.2305

10+:¥0.2942

403

-
立即发货
DMP3099L-7
美台(DIODES)
SOT-23

30000+:¥0.1811

6000+:¥0.1955

3000+:¥0.2058

800+:¥0.2881

100+:¥0.4116

20+:¥0.638

2977

-
DMP3099L-7
DIODES INCORPORATED
SOT-23

100+:¥0.1862

1+:¥0.2058

5782

2508
现货最快4H发
DMP3099L-7
DIODES(美台)
SOT-23(SOT-23-3)

500+:¥0.188

100+:¥0.205

50+:¥0.228

5+:¥0.318

34020

22+/23+
DMP3099L-7
Diodes(达尔)
SOT-23

3000+:¥0.2325

200+:¥0.2613

130+:¥0.4056

110866

-
3天-15天
DMP3099L-7
Diodes Incorporated
SOT-23-3

87000+:¥0.1505

15000+:¥0.1544

9000+:¥0.1598

3000+:¥0.1806

15000

22+
5-7工作日
DMP3099L-7
DIODES
SOT-23-3

3000+:¥0.1522

300+:¥0.1659

100+:¥0.1811

30+:¥0.1993

10+:¥0.242

1+:¥0.2922

13140

22+
1-3工作日
DMP3099L-7
Diodes(美台)
SOT-23

3000+:¥0.16432

1500+:¥0.18616

200+:¥0.21424

1+:¥0.33176

144785

--
1-3工作日
DMP3099L-7
DIODES(美台)
SOT-23-3

3000+:¥0.1754

1500+:¥0.1987

200+:¥0.2287

1+:¥0.3541

145225

25+
2-4工作日
DMP3099L-7
Diodes Incorporated
SOT-23-3

24000+:¥0.1783

12000+:¥0.1829

6000+:¥0.186

3000+:¥0.2015

90000

-
5-7工作日
DMP3099L-7
Diodes Incorporated
SOT-23-3

24000+:¥0.1819

12000+:¥0.185

6000+:¥0.1882

3000+:¥0.1913

125000

24+
3-5工作日
DMP3099L-7
Diodes Incorporated
SOT-23-3

1000+:¥0.4474

48000

-
5-9工作日
DMP3099L-7
Diodes Incorporated
SOT-23-3

1500+:¥0.5573

800+:¥0.5741

448400

-
10-15工作日
DMP3099L-7
Diodes(美台)
SOT-23

50+:¥0.23579

5+:¥0.29953

0

2304
现货

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 3.8A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 65 毫欧 @ 3.8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 5.2 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 563 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) 1.08W(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3