DMP2004K-7
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.13936
59,833
场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):20 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):600mA(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V
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DMP2004K-7
DIODES(美台)
SOT23

3000+:¥0.137

1+:¥0.154

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2年内
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DMP2004K-7
Diodes(美台)
SOT-23

3000+:¥0.13936

1+:¥0.15912

6845

2年内
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DMP2004K-7
DIODES INCORPORATED
SOT-23-3

1000+:¥0.1407

100+:¥0.1552

1+:¥0.2814

33686

2228
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美台(DIODES)
SOT-23

30000+:¥0.1507

6000+:¥0.1627

3000+:¥0.1713

800+:¥0.2398

200+:¥0.3426

10+:¥0.5576

6852

-
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DIODES(美台)
SOT-23

3000+:¥0.1937

300+:¥0.2261

100+:¥0.2575

10+:¥0.3204

4100

-
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Diodes(达尔)
SOT-23

3000+:¥0.2055

1500+:¥0.231

200+:¥0.2655

140+:¥0.3575

6852

-
3天-15天
DMP2004K-7
DIODES(美台)
SOT-23

3000+:¥0.2251

1200+:¥0.2275

600+:¥0.2298

100+:¥0.2512

10+:¥0.3125

1498

-
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DMP2004K-7
Diodes(美台)
SOT-23

3000+:¥0.14352

1500+:¥0.1612

200+:¥0.18616

1+:¥0.28808

7094

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1-3工作日
DMP2004K-7
Diodes Incorporated
SOT-23-3

24000+:¥0.1559

12000+:¥0.1586

6000+:¥0.1613

3000+:¥0.164

30000

24+
3-5工作日
DMP2004K-7
Diodes Incorporated
SOT-23-3

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3000+:¥0.1601

1500+:¥0.1628

100+:¥0.1684

99999

24+
3-5工作日
DMP2004K-7
DIODES(美台)
SOT-23-3

1000+:¥0.1937

32305

-
6-8工作日
DMP2004K-7
Diodes Incorporated
SOT-23-3

24000+:¥0.1957

12000+:¥0.2008

6000+:¥0.2042

3000+:¥0.2213

3000

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5-7工作日
DMP2004K-7
DIODES
SOT-23-3

9000+:¥0.214

3000+:¥0.2206

6000

24+
1-3工作日
DMP2004K-7
DIODES
SOT-23-3

300+:¥0.2257

100+:¥0.2572

10+:¥0.3223

2496

2408+
1工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 600mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 900 毫欧 @ 430mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA
Vgs(最大值) ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 175 pF @ 16 V
功率耗散(最大值) 550mW(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3