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DMP10H400SK3-13
DIODES(美台)
TO-252(DPAK)
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：9A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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封装
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价格(含税)
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库存
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DMP10H400SK3-13
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DIODES(美台)
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TO-252(DPAK)
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1000+:￥0.8694 500+:￥0.8883 100+:￥0.9198 30+:￥0.9954 10+:￥1.2264 1+:￥1.577 |
1052 |
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DIODES(美台)
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TO252
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2500+:￥1.08 1+:￥1.14 |
2624 |
2年内
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圣禾堂
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DIODES(美台)
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TO-252
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100+:￥1.117 30+:￥1.208 10+:￥1.453 1+:￥1.834 |
2134 |
20+/21+
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在芯间
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Diodes(达尔)
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DPAK
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2500+:￥1.188 1250+:￥1.254 100+:￥1.452 30+:￥1.892 |
2683 |
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唯样商城
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DIODES INCORPORATED
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TO-252-3
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1+:￥1.4178 |
729 |
2143
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现货最快4H发
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京北通宇
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 9A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 240 毫欧 @ 5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 17.5 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1239 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 42W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |