DMP10H400SK3-13
DIODES(美台)
TO-252(DPAK)
¥0.8694
9,252
场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):100 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
厂家型号
厂牌
封装
价格(含税)
库存
批次
交期
渠道
DMP10H400SK3-13
DIODES(美台)
TO-252(DPAK)

1000+:¥0.8694

500+:¥0.8883

100+:¥0.9198

30+:¥0.9954

10+:¥1.2264

1+:¥1.577

1052

-
立即发货
DMP10H400SK3-13
DIODES(美台)
TO252

2500+:¥1.08

1+:¥1.14

2624

2年内
立即发货
DMP10H400SK3-13
DIODES(美台)
TO-252

100+:¥1.117

30+:¥1.208

10+:¥1.453

1+:¥1.834

2134

20+/21+
DMP10H400SK3-13
Diodes(达尔)
DPAK

2500+:¥1.188

1250+:¥1.254

100+:¥1.452

30+:¥1.892

2683

-
3天-15天
DMP10H400SK3-13
DIODES INCORPORATED
TO-252-3

1+:¥1.4178

729

2143
现货最快4H发
DMP10H400SK3-13
DIODES(美台)
TO-252(DPAK)

100+:¥2.9574

30+:¥3.1158

10+:¥3.1686

1+:¥3.4327

30

-
立即发货
DMP10H400SK3-13
Diodes Incorporated
TO-252-3

50000+:¥1.058

2500+:¥1.0672

1250+:¥1.0856

100+:¥1.1224

15000

22+
3-5工作日
DMP10H400SK3-13
Diodes Incorporated
TO-252-3

125000+:¥1.0808

25000+:¥1.0905

5000+:¥1.1098

2500+:¥1.1484

22500

22+
3-4工作日
DMP10H400SK3-13
DIODES
TO-252-3

2500+:¥1.087

300+:¥1.1848

100+:¥1.2935

30+:¥1.4239

10+:¥1.7283

1+:¥2.087

9989

21+
1工作日
DMP10H400SK3-13
Diodes Incorporated
TO-252-3

12500+:¥1.13

7500+:¥1.15

5000+:¥1.18

2500+:¥1.25

10000

22+
5-10工作日
DMP10H400SK3-13
Diodes(美台)
TO-252-3

2500+:¥1.1336

1250+:¥1.196

100+:¥1.3832

1+:¥1.7992

2683

--
1-3工作日
DMP10H400SK3-13
DIODES
TO-252-3

1000+:¥1.25

500+:¥1.28

100+:¥1.34

10+:¥1.5429

1+:¥1.7615

414

2326+
1工作日
DMP10H400SK3-13
Diodes Incorporated
TO-252-3

7500+:¥1.344

5000+:¥1.38

2500+:¥1.416

150000

-
3-5工作日
DMP10H400SK3-13
Diodes Incorporated
TO-252-3

15000+:¥1.702

7500+:¥1.7836

2500+:¥1.9004

15000

23+
5-10工作日
DMP10H400SK3-13
美台(DIODES)
TO-252

25000+:¥1.0024

5000+:¥1.0821

2500+:¥1.1391

800+:¥1.5947

200+:¥2.2782

10+:¥3.7078

0

-

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 9A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 240 毫欧 @ 5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 17.5 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1239 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) 42W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63