DMP1005UFDF-7
DIODES(美台)
UDFN2020-6-EP
¥0.654
36,980
场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):12 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):26A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V
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DMP1005UFDF-7
DIODES(美台)
U-DFN2020-6

3000+:¥0.654

1+:¥0.703

11922

25+
立即发货
DMP1005UFDF-7
Diodes(美台)
UDFN2020-6-EP

3000+:¥0.6656

1+:¥0.71552

11921

25+
1-2工作日发货
DMP1005UFDF-7
Diodes(达尔)
6-UDFN

3000+:¥0.7194

1500+:¥0.7733

200+:¥0.8888

50+:¥1.155

11922

-
3天-15天
DMP1005UFDF-7
DIODES(美台)
UDFN2020-6-EP

500+:¥0.8262

150+:¥1.004

50+:¥1.1465

5+:¥1.479

1215

-
立即发货
DMP1005UFDF-7
Diodes(美台)
U-DFN2020-6

3000+:¥0.68848

1500+:¥0.74048

200+:¥0.85176

1+:¥1.1128

11933

--
1-3工作日
DMP1005UFDF-7
DIODES(美台)
SOT-23,UDFN-2020-6,UDFN-20206

60000+:¥0.7226

45000+:¥0.7304

3000+:¥0.7348

1500+:¥0.7903

200+:¥0.9091

1+:¥1.1877

12153

25+
2-4工作日
DMP1005UFDF-7
DIODES
SOT-23,UDFN-2020-6,UDFN-20206

3000+:¥0.7337

300+:¥0.7997

100+:¥0.8731

30+:¥0.9611

10+:¥1.1666

1+:¥1.4087

1507

22+
1-3工作日
DMP1005UFDF-7
Diodes Incorporated
SOT-23,UDFN-2020-6,UDFN-20206

60000+:¥0.7935

3000+:¥0.8004

1500+:¥0.8142

100+:¥0.8418

66166

25+
3-5工作日
DMP1005UFDF-7
Diodes Incorporated
SOT-23,UDFN-2020-6,UDFN-20206

12000+:¥1.9124

6000+:¥1.9721

3000+:¥2.0123

4625

-
10-15工作日
DMP1005UFDF-7
美台(DIODES)
DFN2020-6

30000+:¥0.7503

6000+:¥0.81

3000+:¥0.8526

800+:¥1.1936

200+:¥1.7052

10+:¥2.7753

0

-

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 12 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 26A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 8.5 毫欧 @ 5A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 47 nC @ 8 V
Vgs(最大值) ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 2475 pF @ 6 V
功率耗散(最大值) 2.1W(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 6-UDFN 裸露焊盘