DMN6140LQ-7
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.5156
1,066
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):60 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.6A(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
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DMN6140LQ-7
Diodes(达尔)
SOT-23

3000+:¥0.4745

1500+:¥0.5083

200+:¥0.5577

80+:¥0.6864

5208

-
3天-15天
DMN6140LQ-7
DIODES(美台)
SOT-23

500+:¥0.5156

150+:¥0.5822

50+:¥0.671

5+:¥0.8486

1040

-
立即发货
DMN6140LQ-7
DIODES INCORPORATED
SOT-23-3

500+:¥0.6302

100+:¥0.6588

1+:¥0.6874

5611

2241
现货最快4H发
DMN6140LQ-7
Diodes(美台)
SOT-23-3

3000+:¥0.3796

1500+:¥0.40664

200+:¥0.44616

1+:¥0.64896

5356

--
1-3工作日
DMN6140LQ-7
DIODES(美台)
SOT-23-3

3000+:¥0.4107

1500+:¥0.4396

200+:¥0.4829

1+:¥0.7015

5356

24+
2-4工作日
DMN6140LQ-7
Diodes Incorporated
SOT-23-3

24000+:¥0.4255

12000+:¥0.4366

6000+:¥0.444

3000+:¥0.481

6000

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5-7工作日
DMN6140LQ-7
DIODES
SOT-23-3

500+:¥0.4765

150+:¥0.5382

50+:¥0.624

5+:¥0.7932

11679

2452+
1工作日
DMN6140LQ-7
Diodes Incorporated
SOT-23-3

24000+:¥0.684

12000+:¥0.696

6000+:¥0.708

3000+:¥0.72

30000

-
3-7工作日
DMN6140LQ-7
Diodes Incorporated
SOT-23-3

15000+:¥0.6977

9000+:¥0.7314

3000+:¥0.7793

12000

23+
5-10工作日
DMN6140LQ-7
DIODES(美台)
SOT-23-3

500+:¥0.8561

100+:¥0.9098

5330

-
6-8工作日
DMN6140LQ-7
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SOT23

3000+:¥0.365

1+:¥0.391

9

24+
立即发货
DMN6140LQ-7
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SOT-23-3

3000+:¥0.3796

1+:¥0.40664

8

24+
1-2工作日发货
DMN6140LQ-7
美台(DIODES)
SOT-23

30000+:¥0.4015

6000+:¥0.4335

3000+:¥0.4563

800+:¥0.6388

100+:¥0.9126

20+:¥1.4853

9

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 1.6A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 140 毫欧 @ 1.8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 8.6 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 315 pF @ 40 V
功率耗散(最大值) 700mW(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3