DMN6140L-7
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.2189
26,051
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):60 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.6A(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
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DMN6140L-7
DIODES(美台)
SOT-23

6000+:¥0.2189

3000+:¥0.2338

500+:¥0.2635

150+:¥0.3007

50+:¥0.3503

5+:¥0.4494

6210

-
立即发货
DMN6140L-7
DIODES(美台)
SOT23

3000+:¥0.22

1+:¥0.249

5100

25+
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DMN6140L-7
Diodes(美台)
SOT-23-3

3000+:¥0.2288

1+:¥0.25896

5099

25+
1-2工作日发货
DMN6140L-7
美台(DIODES)
SOT-23

30000+:¥0.2411

6000+:¥0.2603

3000+:¥0.274

800+:¥0.3836

100+:¥0.548

20+:¥0.8919

423

-
DMN6140L-7
DIODES(美台)
SOT-23(SOT-23-3)

100+:¥0.267

30+:¥0.302

10+:¥0.349

5+:¥0.442

330

20+/21+
DMN6140L-7
DIODES(美台)
SOT-23

3000+:¥0.2712

1200+:¥0.274

600+:¥0.2768

100+:¥0.3062

10+:¥0.3927

2955

-
立即发货
DMN6140L-7
Diodes(达尔)
SOT-23

3000+:¥0.286

1500+:¥0.3237

200+:¥0.3718

90+:¥0.5759

5100

-
3天-15天
DMN6140L-7
Diodes
SOT-23-3

3000+:¥0.3978

2000+:¥0.4158

1000+:¥0.4339

500+:¥0.4524

300+:¥0.5424

100+:¥0.6509

830

2113
立即发货
DMN6140L-7
DIODES INCORPORATED
SOT-23

1+:¥0.4208

1201

2147
现货最快4H发
DMN6140L-7
Diodes(美台)
SOT-23-3

3000+:¥0.2288

1500+:¥0.25896

200+:¥0.29744

1+:¥0.46072

112

--
1-3工作日
DMN6140L-7
Diodes Incorporated
SOT-23-3

60000+:¥0.23

30000+:¥0.232

15000+:¥0.236

3000+:¥0.248

48000

-
3-5工作日
DMN6140L-7
Diodes Incorporated
SOT-23-3

60000+:¥0.23

30000+:¥0.236

15000+:¥0.24

3000+:¥0.26

60000

-
3-5工作日
DMN6140L-7
DIODES
SOT-23-3

300+:¥0.2707

100+:¥0.3162

10+:¥0.4067

1956

2351+
1工作日
DMN6140L-7
Diodes Incorporated
SOT-23-3

60000+:¥0.2777

3000+:¥0.2801

1500+:¥0.285

100+:¥0.2946

98535

24+
3-5工作日
DMN6140L-7
Diodes Incorporated
SOT-23-3

84000+:¥0.336

84000

-
5-10工作日
DMN6140L-7
DIODES(美台)
SOT-23-3

613+:¥0.567

611+:¥0.5719

610+:¥0.5817

609+:¥0.6163

1140

-
6-8工作日
DMN6140L-7
DIODES INCORPORATED
SOT-23-3

3000+:¥0.2895

300+:¥0.3155

100+:¥0.3445

30+:¥0.3792

10+:¥0.4602

1+:¥0.5558

4

22+
1工作日
DMN6140L-7
Diodes(美台)
SOT-23-3

3000+:¥0.30425

1000+:¥0.3099

500+:¥0.31555

100+:¥0.32092

1+:¥0.32487

4

22+
现货

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 1.6A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 140 毫欧 @ 1.8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 8.6 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 315 pF @ 40 V
功率耗散(最大值) 700mW(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3