DMN6075S-7
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.233
102,321
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):60 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
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DMN6075S-7
DIODES(美台)
SOT23

3000+:¥0.233

1+:¥0.263

404

25+
立即发货
DMN6075S-7
DIODES(美台)
SOT-23

6000+:¥0.2373

3000+:¥0.2532

500+:¥0.2985

150+:¥0.3384

50+:¥0.3916

5+:¥0.4981

66785

-
立即发货
DMN6075S-7
Diodes(美台)
SOT-23-3

3000+:¥0.24232

1+:¥0.27352

15396

23+
1-2工作日发货
DMN6075S-7
Diodes(美台)
SOT-23-3

3000+:¥0.24232

1+:¥0.27352

393

25+
1-2工作日发货
DMN6075S-7
美台(DIODES)
SOT-23

30000+:¥0.2475

6000+:¥0.2672

3000+:¥0.2813

800+:¥0.3938

200+:¥0.5626

10+:¥0.872

299

-
DMN6075S-7
DIODES(美台)
SOT-23

3000+:¥0.2596

1200+:¥0.3018

600+:¥0.3049

100+:¥0.3978

10+:¥0.5041

3640

-
立即发货
DMN6075S-7
Diodes(达尔)
SOT-23

3000+:¥0.3029

1500+:¥0.3419

200+:¥0.3939

90+:¥0.6097

15400

-
3天-15天
DMN6075S-7
Diodes Incorporated
SOT-23-3

15000+:¥0.2218

10000+:¥0.2237

6000+:¥0.2277

2500+:¥0.2356

51000

24+
3-5工作日
DMN6075S-7
DIODES
SOT-23-3

6000+:¥0.2356

3000+:¥0.2523

500+:¥0.2765

100+:¥0.2983

10+:¥0.3314

197611

2523+
1工作日
DMN6075S-7
Diodes(美台)
SOT-23-3

3000+:¥0.24232

1500+:¥0.27352

200+:¥0.31512

1+:¥0.48776

675

--
1-3工作日
DMN6075S-7
Diodes Incorporated
SOT-23-3

60000+:¥0.253

30000+:¥0.2552

15000+:¥0.2596

3000+:¥0.2728

24000

-
3-5工作日
DMN6075S-7
DIODES(美台)
SOT-23-3

3000+:¥0.2586

1500+:¥0.2919

200+:¥0.3363

1+:¥0.5206

675

25+
2-4工作日
DMN6075S-7
DIODES
SOT-23-3

1000+:¥0.2611

500+:¥0.2733

100+:¥0.2866

10+:¥0.2975

1+:¥0.3133

5999

2328+
1工作日
DMN6075S-7
Diodes Incorporated
SOT-23-3

12000+:¥0.7402

6000+:¥0.7547

3000+:¥0.7706

18000

-
10-15工作日
DMN6075S-7
DIODES(美台)
SOT-23(SOT-23-3)

100+:¥0.265

30+:¥0.265

10+:¥0.265

5+:¥0.273

0

20+/21+
DMN6075S-7
DIODES INCORPORATED
SOT-23

1+:¥0.3365

4

20+
现货最快4H发

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 2A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 85 毫欧 @ 3.2A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 12.3 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 606 pF @ 20 V
功率耗散(最大值) 800mW(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3