DMN6040SK3-13
DIODES(美台)
TO-252
¥0.8366
19,364
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):60 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
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TO-252

500+:¥0.8366

150+:¥1.0071

50+:¥1.1438

5+:¥1.4627

2245

-
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2500+:¥0.918

1+:¥0.972

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2年内
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Diodes(达尔)
TO-252-3

2500+:¥1.0098

1250+:¥1.0692

100+:¥1.232

40+:¥1.606

4836

-
3天-15天
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500+:¥1.31

150+:¥1.56

50+:¥1.75

1+:¥2.21

1947

23+/24+
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TO-252

500+:¥1.31

150+:¥1.56

50+:¥1.75

1+:¥2.21

3000

24+/23+
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Diodes
TO-252-3

2500+:¥2.1235

2000+:¥2.3005

1000+:¥2.3889

500+:¥2.4774

100+:¥2.6544

10+:¥2.8313

2500

2048
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Diodes(美台)
TO-252-3

2500+:¥0.96512

1250+:¥1.02336

100+:¥1.1752

1+:¥1.5288

7716

--
1-3工作日
DMN6040SK3-13
Diodes Incorporated
TO-252-3

15000+:¥1.0009

7500+:¥1.0493

2500+:¥1.1182

120000

23+
5-10工作日
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DIODES(美台)
TO-252-3

50000+:¥1.0145

37500+:¥1.0245

2500+:¥1.0301

1250+:¥1.0922

100+:¥1.2543

1+:¥1.6317

7716

25+
2-4工作日
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Diodes Incorporated
TO-252-3

2500+:¥1.21

10010

-
3-5工作日
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Diodes Incorporated
TO-252-3

1250+:¥2.2656

630+:¥2.3338

10+:¥2.3817

1960

-
10-15工作日
DMN6040SK3-13
美台(DIODES)
TO-252-3

25000+:¥1.0349

5000+:¥1.1172

2500+:¥1.176

800+:¥1.6464

200+:¥2.352

10+:¥3.8279

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 20A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 40 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 22.4 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1287 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) 42W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63