咨询/建议
DMN601K-7
DIODES(美台)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：300mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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DMN601K-7
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DIODES(美台)
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SOT23
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3000+:￥0.095 1+:￥0.12 |
16707 |
24+
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立即发货
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圣禾堂
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DMN601K-7
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Diodes(美台)
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SOT-23
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3000+:￥0.0988 1+:￥0.1248 |
16305 |
24+
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1-2工作日发货
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硬之城
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DMN601K-7
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美台(DIODES)
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SOT-23
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30000+:￥0.1045 6000+:￥0.1129 3000+:￥0.1188 800+:￥0.1663 100+:￥0.2376 20+:￥0.3867 |
39076 |
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油柑网
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DMN601K-7
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DIODES(美台)
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SOT-23
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9000+:￥0.1092 3000+:￥0.1241 600+:￥0.1412 200+:￥0.1697 20+:￥0.221 |
9280 |
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立即发货
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立创商城
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DMN601K-7
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DIODES INCORPORATED
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SOT-23
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500+:￥0.1152 100+:￥0.1204 1+:￥0.1256 |
58672 |
2309
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现货最快4H发
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京北通宇
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DMN601K-7
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DIODES(美台)
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SOT-23
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1200+:￥0.1313 300+:￥0.1578 20+:￥0.2055 |
898 |
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立即发货
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华秋商城
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DMN601K-7
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Diodes(达尔)
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TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
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3000+:￥0.1425 1500+:￥0.18 200+:￥0.2865 80+:￥0.6314 |
17057 |
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3天-15天
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唯样商城
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DMN601K-7
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Diodes Incorporated
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SOT-23-3
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15000+:￥0.0918 10000+:￥0.0927 6000+:￥0.0943 2500+:￥0.0976 |
180000 |
24+
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3-5工作日
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云汉芯城
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DMN601K-7
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Diodes(美台)
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SOT-23
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3000+:￥0.0988 1500+:￥0.1248 200+:￥0.19864 1+:￥0.59696 |
5257 |
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1-3工作日
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硬之城
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DMN601K-7
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DIODES(美台)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.1055 1500+:￥0.1332 200+:￥0.212 1+:￥0.6371 |
5307 |
24+
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2-4工作日
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云汉芯城
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DMN601K-7
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DIODES INCORPORATED
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SOT-23-3
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9000+:￥0.1078 3000+:￥0.1222 600+:￥0.1386 200+:￥0.1662 20+:￥0.216 |
26949 |
24+
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1-3工作日
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云汉芯城
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DMN601K-7
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Diodes Incorporated
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SOT-23-3
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24000+:￥0.1081 12000+:￥0.1109 6000+:￥0.1128 3000+:￥0.1222 |
3000 |
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5-7工作日
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云汉芯城
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DMN601K-7
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Diodes Incorporated
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SOT-23-3
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1125000+:￥0.1107 75000+:￥0.1137 15000+:￥0.1156 3000+:￥0.1176 |
153000 |
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3-5工作日
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云汉芯城
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DMN601K-7
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Diodes Incorporated
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SOT-23-3
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150000+:￥0.113 90000+:￥0.115 60000+:￥0.118 30000+:￥0.125 |
60000 |
24+
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5-10工作日
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云汉芯城
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DMN601K-7
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DIODES
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SOT-23-3
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1+:￥0.095 |
6 |
2219+
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1工作日
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云汉芯城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 300mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2 欧姆 @ 500mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 50 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 350mW（Ta） |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |