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DMG6602SVT-7
DIODES(美台)
TSOT-26
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 和 P 沟道，FET 功能：逻辑电平栅极，4.5V 驱动，漏源电压（Vdss）：30V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.4A，2.8A，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：60 毫欧 @ 3.1A，10V
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价格(含税)
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DMG6602SVT-7
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DIODES(美台)
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TSOT-26
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6000+:￥0.3342 3000+:￥0.356 500+:￥0.4518 150+:￥0.5065 50+:￥0.5794 5+:￥0.7252 |
26820 |
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DIODES INCORPORATED
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TSOT-26
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1000+:￥0.3464 500+:￥0.3881 1+:￥0.4366 |
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京北通宇
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DIODES(美台)
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3000+:￥0.35 1+:￥0.374 |
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圣禾堂
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Diodes(美台)
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3000+:￥0.36088 1+:￥0.38584 |
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硬之城
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1200+:￥0.4294 600+:￥0.4337 50+:￥0.5562 5+:￥0.6962 |
980 |
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 和 P 沟道 |
| FET 功能 | 逻辑电平栅极，4.5V 驱动 |
| 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.4A，2.8A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 60 毫欧 @ 3.1A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 13nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 400pF @ 15V |
| 功率 - 最大值 | 840mW |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |