DMG6602SVT-7
DIODES(美台)
TSOT-26
¥0.3342
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场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 和 P 沟道,FET 功能:逻辑电平栅极,4.5V 驱动,漏源电压(Vdss):30V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.4A,2.8A,不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):60 毫欧 @ 3.1A,10V
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6000+:¥0.3342

3000+:¥0.356

500+:¥0.4518

150+:¥0.5065

50+:¥0.5794

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26820

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1000+:¥0.3464

500+:¥0.3881

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51915

2246
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1013

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TSOT26

1200+:¥0.4294

600+:¥0.4337

50+:¥0.5562

5+:¥0.6962

980

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Diodes(达尔)
TSOT-23

200+:¥0.5304

80+:¥0.6501

413

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3000+:¥0.364

1500+:¥0.38896

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1+:¥0.62192

1045

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1-3工作日
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TSOT-26-6

30000+:¥0.3299

6000+:¥0.3562

3000+:¥0.3749

800+:¥0.5249

200+:¥0.7498

10+:¥1.1622

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 和 P 沟道
FET 功能 逻辑电平栅极,4.5V 驱动
漏源电压(Vdss) 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 3.4A,2.8A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 60 毫欧 @ 3.1A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 13nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 400pF @ 15V
功率 - 最大值 840mW
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SOT-23-6 细型,TSOT-23-6