DMG2302U-7
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.15
273,599
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):20 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.2A(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,4.5V
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DMG2302U-7
DIODES(美台)
SOT23

3000+:¥0.15

1+:¥0.17

88497

22+
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DMG2302U-7
Diodes(美台)
SOT-23

3000+:¥0.156

1+:¥0.1768

87491

22+
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DMG2302U-7
DIODES(美台)
SOT-23

3000+:¥0.2179

300+:¥0.2458

100+:¥0.283

10+:¥0.3574

5150

-
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Diodes(达尔)
SOT-23

3000+:¥0.225

1500+:¥0.255

200+:¥0.2925

130+:¥0.3926

88497

-
3天-15天
DMG2302U-7
DIODES(美台)
SOT-23

500+:¥0.309

100+:¥0.327

10+:¥0.363

1+:¥0.378

482

-
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DMG2302U-7
美台(DIODES)
SOT-23

30000+:¥0.3399

6000+:¥0.3669

3000+:¥0.3863

800+:¥0.5408

100+:¥0.5409

20+:¥0.563

482

-
DMG2302U-7
DIODES(美台)
SOT-23

500+:¥0.359

150+:¥0.377

50+:¥0.441

5+:¥0.514

3000

23+
DMG2302U-7
Diodes(美台)
SOT-23-3

3000+:¥0.1612

1500+:¥0.182

200+:¥0.20904

1+:¥0.32448

16516

--
1-3工作日
DMG2302U-7
DIODES(美台)
SOT-23-3

3000+:¥0.1721

1500+:¥0.1943

200+:¥0.2231

1+:¥0.3463

91554

22+
2-4工作日
DMG2302U-7
Diodes Incorporated
SOT-23-3

60000+:¥0.207

30000+:¥0.2088

15000+:¥0.2124

3000+:¥0.2232

120000

-
3-5工作日
DMG2302U-7
Diodes Incorporated
SOT-23-3

60000+:¥0.207

30000+:¥0.2124

15000+:¥0.216

3000+:¥0.234

120000

-
3-5工作日
DMG2302U-7
DIODES(美台)
SOT-23-3

3000+:¥0.2077

1+:¥0.2475

86976

-
6-8工作日
DMG2302U-7
Diodes Incorporated
SOT-23-3

24000+:¥0.2554

12000+:¥0.2576

6000+:¥0.2622

3000+:¥0.2713

86190

21+
5-7工作日
DMG2302U-7
DIODES INCORPORATED
SOT-23

1000+:¥0.1764

100+:¥0.1941

1+:¥0.2137

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-
现货最快4H发

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 4.2A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 90 毫欧 @ 3.6A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1V @ 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 7 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 594.3 pF @ 10 V
功率耗散(最大值) 800mW(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3