DMG1029SV-7
DIODES(美台)
SOT-563
¥0.259
1,358
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 和 P 沟道,FET 功能:逻辑电平门,漏源电压(Vdss):60V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):500mA,360mA,不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):1.7 欧姆 @ 500mA,10V
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DMG1029SV-7
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SOT563

3000+:¥0.259

1+:¥0.293

133

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Diodes(美台)
SOT-563

3000+:¥0.26936

1+:¥0.30472

132

22+
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DIODES(美台)
SOT-563

500+:¥0.3261

150+:¥0.3693

50+:¥0.4268

5+:¥0.5417

960

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Diodes(达尔)
SOT-563

90+:¥0.5742

133

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3天-15天
DMG1029SV-7
Diodes Incorporated
SOT-563

300+:¥0.236

200+:¥0.264

100+:¥0.2829

1+:¥0.3

6000

-
3-6工作日
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Diodes Incorporated
SOT-563

24000+:¥0.245

12000+:¥0.2513

6000+:¥0.2556

3000+:¥0.2769

27000

-
5-7工作日
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Diodes Incorporated
SOT-563

24000+:¥0.2728

12000+:¥0.2775

6000+:¥0.2822

3000+:¥0.2869

60000

23+
3-5工作日
DMG1029SV-7
DIODES(美台)
SOT-563

3000+:¥0.2875

1500+:¥0.3252

200+:¥0.3741

1+:¥0.5794

159

22+
2-4工作日
DMG1029SV-7
DIODES
SOT-563

9000+:¥0.2998

3000+:¥0.328

500+:¥0.3717

100+:¥0.4232

10+:¥0.4853

1+:¥0.6904

89050

2338+
1工作日
DMG1029SV-7
Diodes Incorporated
SOT-563

1500+:¥1.5977

750+:¥1.6482

50+:¥1.6839

28150

-
10-15工作日
DMG1029SV-7
美台(DIODES)
SOT-563

30000+:¥0.2666

6000+:¥0.2878

3000+:¥0.3029

800+:¥0.4241

200+:¥0.6058

10+:¥0.939

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 和 P 沟道
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压(Vdss) 60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 500mA,360mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 1.7 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 0.3nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 30pF @ 25V
功率 - 最大值 450mW
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SOT-563,SOT-666