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DMG1012T-7
DIODES(美台)
SOT-523
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：630mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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库存
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渠道
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DMG1012T-7
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DIODES(美台)
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SOT523
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3000+:￥0.1 1+:￥0.127 |
599 |
22+
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圣禾堂
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DMG1012T-7
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Diodes(美台)
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SOT-523
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3000+:￥0.104 1+:￥0.13208 |
369 |
22+
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1-2工作日发货
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硬之城
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DMG1012T-7
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DIODES INCORPORATED
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SOT-523
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1000+:￥0.1077 100+:￥0.1746 1+:￥0.2097 |
82849 |
2222
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现货最快4H发
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京北通宇
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DMG1012T-7
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美台(DIODES)
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SOT-523
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30000+:￥0.11 6000+:￥0.1188 3000+:￥0.125 800+:￥0.175 100+:￥0.25 20+:￥0.4069 |
1847 |
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油柑网
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DMG1012T-7
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DIODES(美台)
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SOT-523
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21000+:￥0.1102 9000+:￥0.118 3000+:￥0.1324 600+:￥0.1489 200+:￥0.1766 20+:￥0.2264 |
149380 |
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 630mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 400 毫欧 @ 600mA，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 0.74 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±6V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 60.67 pF @ 16 V |
| 功率耗散（最大值） | 280mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SOT-523 |